[发明专利]一种石墨烯薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

包括如下步骤：

1)除杂：采用0.5kg/cm²氧化铝悬浮液对铜箔进行机械抛光30min，然后将铜箔分别置于丙酮、乙醇、去 离子水中进行超声清洗30min，再置于浓硫酸中浸泡1min，用去离子水洗净；

2)退火：将浸泡后的基底置于CVD系统中，抽真空至压力小于1Pa后，通入流量为12sccm的氩气，然后在30min内升温至800℃；再通入流量为2sccm的氢气，在30min内升温至1000℃，保温30min；

3)生长：保温处理后，停止通入氩气，氢气流量调整为12sccm，再以2sccm的流量通入甲烷，开始生长石墨烯，生长120min后停止通入甲烷，氢气流量调整为2sccm，氩气流量调整为12sccm；停止加热，冷却至室温，即得所述石墨烯薄膜。

2.权利要求1所述制备方法制得的石墨烯薄膜。

3.权利要求2所述的石墨烯薄膜在显示屏、电子器件和MEMS传感器上的应用。