[发明专利]一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法

权利要求书

1.一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述柔性电容式应力传感器芯片包括柔性、可拉伸的凝胶薄膜，在所述凝胶薄膜内部由下到上依次设置柔性衬底、电极以及纳米材料，其制备方法包括以下步骤：

A、制备柔性电极/纳米材料：在硅片上旋涂一层厚度为10um的柔性衬底，并在柔性衬底上蒸镀出电极，再在电极上滴加纳米材料溶液，直至纳米材料中的溶剂完全蒸发，制得所述柔性电极/纳米材料；

B、制备柔性电容式应力传感器芯片：将海藻酸钠、丙烯酰胺、过硫酸铵以及N,N′-亚甲基双丙烯酰胺溶解在去离子水中，至完全溶解后抽取真空，并将其加入放置有放柔性电极/纳米材料的玻璃皿中，再向玻璃皿中加入硫酸钙和1,2-双(二甲基氨基)乙烷，于45℃-55℃恒温水浴中，用波长为250-260纳米的紫外线照射0.5-1.5小时，制得所述柔性电容式应力传感器芯片。

2.如权利要求1所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述柔性衬底为柔性薄膜。

3.如权利要求2所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述柔性薄膜为聚酰亚胺薄膜或者氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物。

4.如权利要求1所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述电极为金电极或其他具有导电性能的金属电极。

5.如权利要求1所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述纳米材料为导体纳米材料或半导体纳米材料。

6.如权利要求5所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述导体纳米材料为线状或片状结构的金属纳米材料。

7.如权利要求5所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述半导体纳米材料为柱状或片状结构。

8.如权利要求7所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述柱状结构的半导体纳米材料为碳纳米管。

9.如权利要求7所述的一种柔性电容式应力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述片状结构的半导体纳米材料为二维材料；其中，所述二维材料为二硫化钼、石墨烯或黑磷中的任一种。