[发明专利]电子存储器设备及用于存取存储器单元的方法

权利要求书

1.一种存储器设备，其包括：

存储器单元；

输入/输出组件；及

感测组件，其电连接于所述存储器单元与所述输入/输出组件之间，所述感测组件包括第一部分及第二部分，其中：

所述第一部分电连接于所述存储器单元与所述第二部分之间且包括第一组晶体管，所述第一组晶体管中的每一晶体管具有第一电压隔离特性；且

所述第二部分电连接于所述输入/输出组件与所述第一部分之间且包括第二组晶体管，所述第二组晶体管中的每一晶体管具有不同于所述第一电压隔离特性的第二电压隔离特性。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电压隔离特性包括第一隔离电压，且所述第二电压隔离特性包括小于所述第一隔离电压的第二隔离电压。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电压隔离特性为第一激活阈值电压，且所述第二电压隔离特性为小于所述第一激活阈值电压的第二激活阈值电压。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电压隔离特性至少部分地基于第一栅极绝缘厚度，且所述第二电压隔离特性至少部分地基于小于所述第一栅极绝缘厚度的第二栅极绝缘厚度。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测组件的所述第一部分经由具有所述第一电压隔离特性的至少一个晶体管而与所述感测组件的所述第二部分电连接。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测组件的所述第一部分经由具有所述第一电压隔离特性且以箝位配置进行配置的一或多个晶体管而与所述感测组件的所述第二部分电连接。

7.根据权利要求6所述的设备，其进一步包括：

可变电压源，其与以所述箝位配置进行配置的所述一或多个晶体管中的每一者的栅极电连接。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述感测组件的所述第一部分包括电连接于第一电压源与所述感测组件的所述第二部分之间的一对交叉耦合的p型晶体管；且

所述感测组件的所述第二部分包括电连接于第二电压源与所述感测组件的所述第一部分之间的一对交叉耦合的n型晶体管。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测组件的所述第二部分通过一或多个切换组件而与所述输入/输出组件电连接。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测组件的所述第二部分包括与参考电压源电连接的切换组件。

11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

切换组件，其电连接于所述存储器单元与所述感测组件之间。

12.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：

第二存储器单元，其与所述感测组件电连接；及

第二切换组件，其电连接于所述第二存储器单元与所述感测组件之间。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述感测组件的所述第二部分包括与第一参考电压源电连接的第一切换组件，及与第二参考电压源电连接的第二切换组件。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元包括铁电电容器。