[发明专利]阱层光刻版图、其形成方法及其光学临近校正处理方法

权利要求书

1.一种阱层光刻版图，其特征在于，包括原始图形覆盖区域及新增图形覆盖区域，其中所述原始图形覆盖区域为阱层光刻版图上需要转移到晶圆上的图形覆盖区域，所述新增图形覆盖区域为阱层光刻版图上覆盖在有源层冗余图形上，用于增加原始图形密度的图形覆盖区域。

2.根据权利要求1所述的阱层光刻版图，其特征在于，所述原始图形覆盖区域的图形密度不大于50％。

3.根据权利要求1所述的阱层光刻版图，其特征在于，所述新增图形覆盖区域的靠近所述原始图形覆盖区域的边界到所述原始图形覆盖区域的距离D1不大于2000nm。

4.根据权利要求1或3任一项所述的阱层光刻版图，其特征在于，所述新增图形覆盖区域的靠近所述原始图形覆盖区域的边界到获取的完整有源层区冗余图形的距离D2等于所述新增图形覆盖区域的远离所述原始图形覆盖区域的边界到获取的完整有源层区冗余图形的距离，其中D2不大于800nm。

5.一种阱层光刻版图形成方法，其特征在于，包括：

S1：获取晶圆的阱层光刻版图的完整设计版图，其中所述阱层光刻版图包括原始图形覆盖区域，所述原始图形覆盖区域为阱层光刻版图上需要转移到晶圆上的图形覆盖区域；

S2：计算所述原始图形覆盖区域的图形密度，并选出原始图形覆盖区域的图形密度小于设定值的阱层；以及

S3：在选出的原始图形覆盖区域的图形密度小于设定值的阱层上生成新增图形覆盖区域，其中所述新增图形覆盖区域为阱层光刻版图上覆盖在有源层冗余图形上，用于增加原始图形密度的图形覆盖区域。

6.根据权利要求5所述的阱层光刻版图形成方法，其特征在于，步骤S2中的设定值为50％。

7.根据权利要求5所述的阱层光刻版图形成方法，其特征在于，步骤S3还包括步骤S31：在选出的原始图形覆盖区域的图形密度小于设定值的阱层上通过版图逻辑运算获取完整有源层冗余图形，将所述有源层冗余图形向四周扩展后进行边界移动和小尺寸去除得到所述新增图形覆盖区域。

8.根据权利要求7所述的阱层光刻版图形成方法，其特征在于，步骤S31还包括步骤S311：将所述有源层冗余图形向四周扩展后进行边界移动，以使所述新增图形覆盖区域的靠近所述原始图形覆盖区域的边界到所述原始图形覆盖区域的距离不大于2000nm；所述新增图形覆盖区域的靠近所述原始图形覆盖区域的边界到获取的完整有源层区冗余图形的距离D2等于所述新增图形覆盖区域的远离所述原始图形覆盖区域的边界到获取的完整有源层区冗余图形的距离，其中D2不大于800nm。

9.一种权利要求1所述的阱层光刻版图的光学临近校正处理方法，其特征在于，包括对如权利要求1所述的阱层光刻版图进行光学临近校正处理，得到阱层光刻版图转移到晶圆的图形。

10.根据权利要求9所述的光学临近校正处理方法，其特征在于，阱层光刻版图转移到晶圆的图形的线宽差小于3nm。