[发明专利]用于发光元件的化合物及其合成方法有效
| 申请号： | 201810927266.9 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109608473B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 井上英子;金元美树;濑尾广美;濑尾哲史;高桥辰义;中川朋香 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C07D491/048 | 分类号： | C07D491/048;C07F5/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志强;鲁炜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 发光 元件 化合物 及其 合成 方法 | ||
1.一种以通式(A1)表示的化合物，
，
其中X表示硼酸，以及
R1至R5分别表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃和取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基中的任一个。
2.根据权利要求1所述的化合物，
其中R1至R5中的任一个中所包含的取代基是碳原子数为1至3的烷基。
3.根据权利要求1所述的化合物，
其中R2和R4各自表示氢。
4.根据权利要求1所述的化合物，
其中R1至R5各自表示氢。
5.一种合成化合物的方法，所述方法包括：
根据下述方案进行反应：
，
其中X表示卤素和硼酸中的一个，
R1至R5分别表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃和取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基中的任一个，
B表示所述卤素和所述硼酸中的另一个，以及
A1表示取代或未取代的碳原子数为6至100的基团，所述基团选自苯基、芴基、菲基、三亚苯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基和三苯胺骨架中的至少一个。
6.根据权利要求5所述的合成化合物的方法，
其中所述A1表示取代的二苯并噻吩基、取代的二苯并呋喃基、取代的咔唑基中的任一个，以及
A1的取代基是取代或未取代的亚苯基。
7.根据权利要求5所述的合成化合物的方法，
其中所述A1表示取代的碳原子数为6至100的基团，以及
A1的取代基是碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为5至7的单环饱和烃、碳原子数为7至10的多环饱和烃和碳原子数为6至13的芳基中的任一个。
8.根据权利要求5所述的合成化合物的方法，
其中R2和R4各自表示氢。
9.根据权利要求5所述的合成化合物的方法，
其中R1至R5各自表示氢。
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