[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201810927267.3 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN109616572B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 井上英子;金元美树;濑尾广美;濑尾哲史;高桥辰义;中川朋香 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H10K50/11 | 分类号: | H10K50/11;H10K85/60;H10K85/30;C07D491/048 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李志强;鲁炜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包括:
第一电极;
所述第一电极之上的发光层;以及
第二电极,
其中所述发光层包含第一化合物、第二化合物和发光物质,
所述第一化合物以式(G1)表示:
;
A1表示取代或未取代的碳原子数为6至100的基团,所述基团包括苯基、芴基、菲基、三亚苯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基和三苯胺骨架中的至少一个;以及
R1至R5分别表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃和取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基中的任一个。
2.根据权利要求1所述的发光装置,
其中:
所述第一化合物以(G2)表示:
;
α表示取代或未取代的亚苯基;
Htuni表示空穴传输骨架。
3.根据权利要求1所述的发光装置,
其中:
所述第一化合物以式(G3)表示:
。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一化合物以式(100)、(115)、(200)和(300)中的任一个表示:
、、和。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述发光物质包含磷光物质。
6.根据权利要求1所述的发光装置,
其中所述第一化合物具有电子传输性,以及
所述第二化合物具有空穴传输性。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一化合物和所述第二化合物形成激基复合物。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其中所述激基复合物的发射光谱与所述发光物质在吸收光谱的最长波长一侧的吸收带重叠。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中Htuni表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基和取代或未取代的咔唑基中的任一个。
10.根据权利要求1所述的发光装置,
其中:
Htuni表示以式(Ht-1)至(Ht-6)表示的基团中的任一个:
;
R6至R15分别表示氢、碳原子数为1至6的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个;以及
R16表示碳原子数为1至6的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其中
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