[发明专利]改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法

权利要求书

1.一种改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，主要包括：

(1)读入初始GDS文件中所有层次版图原始设计数据和特定图形的具体所在位置；

(2)根据高深宽比层次与其它参考层次的位置信息，确定最小的设计单元，从而得出需要添加的Dummy图形和亚分辨率辅助图形的大小和位置，同时利用已有的OPC模型进行OPC计算修正；

(3)进行掩膜版制作；

(4)在光刻工艺中采用双重曝光的方法，第一次曝光的能量低于第二次的曝光能量，两次曝光用的数值孔径不同，且第一次曝光采用的数值孔径大于第二次曝光的数值孔径；

(5)在显影工艺中采用双重显影的方法，其中先采用正常的显影程序，然后进行去离子纯水冲洗，接着进行显影，再进行去离子纯水冲洗。

2.根据权利要求1所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，在步骤(1)中，从GDS文件中读入的信息包括各个工艺层次的数据、特定器件的标示和特定区域的长、宽、面积以及特定区域的中心位置和过渡区域。

3.根据权利要求2所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，在步骤(2)中，读入关键层信息，筛选出含有重复单元的位置，并与标注出来的特定区域进行比对，确定过渡区域的大小和范围。

4.根据权利要求2所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，在步骤(2)中添加的Dummy图形和亚分辨率辅助图形用于保证特定区域的边缘区域与中心位置以及过渡区域有着不一样的光强。

5.根据权利要求3所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，筛选出含有重复单元的位置是指通过图形比对和数据层次参考的方式确定出最底层的设计单元大小。

6.根据权利要求1所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，步骤(2)中的所述OPC模型是掩膜版上同样的设计尺寸经曝光在晶片上形成的图形尺寸和特征尺寸随着掩膜版和特定区域中心位置的距离远近以及和边缘区域距离远近而变化的OPC修正模型，其与光刻胶的厚度和显影时间以及衬底的材料和形貌也相关。

7.根据权利要求6所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，所述OPC模型的建立需要收集的信息包括光刻胶在特定区域的厚度以及曝光显影后在特定区域的特征尺寸，并将特定区域的长、宽和面积、中心位置建立关联置信度模型。

8.根据权利要求1所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，步骤(2)中进行的OPC计算修正包括电路版图设计规则的计算、需要添加的Dummy图形和亚分辨率辅助图形的大小和位置的计算以及OPC通常的规则和模型的计算。

9.根据权利要求8所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，OPC计算修正后进行检查时，将要检查的线宽和孔的大小依据不同的目标值来设定，所述目标值取决于工艺能力的补偿值。

10.根据权利要求1所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，在步骤(3)中，掩膜版采用交替型移相掩膜。

11.根据权利要求10所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，所述掩膜版采用的是透光率为0.1％～30％的半透明材料。

12.根据权利要求1所述的改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，其特征在于，在步骤(5)中，最后进行热烘。