[发明专利]混合型发光二极管及其制备方法

说明书

本发明提供了一种混合型发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层结构，所述叠层结构为量子点发光单元/电荷产生层/有机发光单元层叠设置形成的叠层结构，其中，所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种混合型发光二极管及其制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示技术领域中的主流技术。量子点发光二极管(QLED)具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了OLED的有力竞争着。但是QLED器件的性能、稳定性还有寿命都有待提高，离产业化还有很大的差距。目前，有人采用QLED与OLED串联的器件结构来兼顾两者的优点，但串联器件大部分都发白光，没有全彩显示的串联结构，并且串联结构中的电荷产生层会与上下两侧的空穴注入层、电子注入层产生注入能级障碍，阻碍空穴、电子的注入，同时电荷产生层本身阻抗较大，降低串联后器件的发光效率。因此现有技术还有待改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种混合型发光二极管及其制备方法，旨在解决现有的QLED与OLED的串联器件由于能级障碍以及电荷产生层本身阻抗的原因导致发光效率低的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种混合型发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层结构，所述叠层结构为量子点发光单元/电荷产生层/有机发光单元层叠设置形成的叠层结构，其中，

所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料。

本发明另一方面提供混合型发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极，在所述底电极上制备包含有量子点发光层的量子点发光单元；

在所述量子点发光单元远离所述底电极的表面制备电荷产生层；

在所述电荷产生层远离所述底电极的表面制备含有有机发光层的有机发光单元，其中，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料；

在所述有机发光单元远离所述底电极的表面制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或

所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

本发明提供的混合型发光二极管，将量子点发光二极管和有机发光二极管串联混合使用，综合了量子点发光二极管和有机发光二极管的优点，提高了发光器件的发光效率、使用寿命和工作稳定性。在此基础上，通过将电子注入材料和空穴注入材料混合作为电荷产生层的组成材料，可以减少电荷产生层与量子点发光单元和有机发光单元的空穴注入难度和电子注入难度，进而提高发光器件效率。同时，在所述电荷产生层中加入金属纳米线，所述金属纳米线特殊的纳米结构，可以互相搭形成导电网络结构，从而增加电荷产生层的导电性，降低驱动电压，降低功耗，使电子空穴的注入更加平衡，进一步提高发光器件的发光性能。由此，解决了量子点发光二极管和有机发光二极管的串联结构中电荷产生层导电性不够、且相邻功能层之间存在注入能级障碍，导致发光效率低的问题。