[发明专利]具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙；

步骤二、在所述栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括如下分步骤：

步骤21、形成硬掩膜层；

步骤22、采用光刻工艺在所述栅极结构的两侧定义出所述凹槽的形成区域，采用刻蚀工艺将所述凹槽形成区域的所述硬掩膜层去除；对所述凹槽形成区域的的所述硅衬底进行第一次干法刻蚀并形成具有第一体积的所述凹槽；

步骤23、采用第一离子注入工艺对第一体积的所述凹槽的周侧的硅进行预处理，所述预处理用于增加后续第二次湿法刻蚀的效率；

步骤24、进行第二次湿法刻蚀将所述凹槽由第一体积扩展到第二体积，通过所述预处理增加所述第二次湿法刻蚀形成的所述第二体积；

步骤三、在所述凹槽中填充锗硅外延层形成嵌入式锗硅外延层，通过增加所述第二体积增加所述嵌入式锗硅外延层并提高MOS晶体管的电学性能；

步骤四、在形成有所述嵌入式锗硅外延层的所述栅极结构的两侧进行源漏注入形成源区和漏区。

2.如权利要求1所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：具有锗硅源漏的MOS晶体管为PMOS管。

3.如权利要求2所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤一中所述栅极结构由栅介质层和多晶硅栅叠加而成。

4.如权利要求3所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述栅极结构作为伪栅，在所述步骤四的所述源区和所述漏区形成之后所述伪栅被去除，之后在所述伪栅去除的区域中形成金属栅结构。

5.如权利要求4所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述金属栅结构为HKMG。

6.如权利要求1所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述硅衬底表面形成有浅沟槽场氧，由所述浅沟槽场氧隔离出有源区，MOS晶体管形成于有源区中。

7.如权利要求1所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤一中所述侧墙的材料为氮化硅。

8.如权利要求7所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

9.如权利要求8所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述第一离子注入工艺的注入杂质包括硅，砷，氮，氩气，注入剂量为3E13cm^-2～2E14cm^-2。

10.如权利要求1所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤三中形成嵌入式锗硅外延层的分步骤包括：

步骤31、形成由锗硅材料组成的缓冲层；

步骤32、形成由锗硅材料组成的主体层，所述主体层的锗浓度大于所述缓冲层的锗浓度；

步骤33、形成由硅材料组成的盖帽层。

11.如权利要求10所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述缓冲层由第一缓冲子层和第二缓冲子层叠加而成。

12.如权利要求11所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述第一缓冲子层的锗浓度为25％，所述第二缓冲子层的锗浓度为25％～30％。

13.如权利要求10所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述主体层的锗浓度为30％～40％。