[发明专利]一种功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于：其包括芯片、设置在所述芯片相对两面上的基板及连接于所述芯片与所述基板的散热组件，所述芯片包括位于中间的有源区及位于有源区两侧的隔离区，所述隔离区上开设有至少两个沟槽，所述散热组件包括形成在所述沟槽内壁上的金属层、填充所述沟槽的介质层及金属垫片，所述金属垫片与所述沟槽对应设置且与所述基板连接。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述功率器件还包括设置于基板上远离所述芯片一侧的散热片。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述介质层为氧化硅层或氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述金属层与所述金属垫片之间形成一空腔，所述介质层位于所述空腔内。

5.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽连通。

6.根据权利要求5所述的功率器件，其特征在于：所述第一沟槽的相对两个侧壁在平行于所述芯片的表面方向上的距离小于所述第二沟槽相对两个侧壁在平行于所述芯片的表面方向上的距离。

7.一种上述功率器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、提供一个芯片及一对基板；

B、在所述芯片的隔离区上至少开设两个沟槽；

C、在所述沟槽的内壁形成金属层；

D、在所述沟槽内填充介质层；

E、在所述芯片正面和所述芯片背面制备与所述金属层连接的金属垫片，且使所述金属垫片与所述沟槽对应设置；

F、在所述芯片正面及所述芯片背面的所述金属垫片上均连接所述的基板。

8.根据权利要求7所述功率器件的制备方法，其特征在于：在步骤B，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，先在所述芯片的隔离区通过干法刻蚀形成所述第一沟槽，再在所述第一沟槽的基础上通过湿法刻蚀形成与所述第一沟槽连通的所述第二沟槽。

9.根据权利要求7所述功率器件的制备方法，其特征在于：所述功率器件还包括散热片、第一粘附层和第二粘附层，所述金属垫片与所述基板通过第一粘附层固定连接，所述基板通过第二粘附层与所述散热片固定连接。

10.根据权利要求9所述功率器件的制备方法，其特征在于：所述第一粘附层和所述第二粘附层的材质均为环氧树脂胶，所述基板为覆铜陶瓷基板。