[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810927781.7 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109087950A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 林河北;凌浩;谭丽娟;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 栅极结构 衬底 半导体技术领域 电流驱动能力 平面型晶体管 晶体管开启 新型半导体 垂直结构 导电沟道 导通电阻 多晶硅栅 沟槽侧壁 传统的 沟道区 源漏区 漏极 漏区 源极 源区 连通 垂直 体内 流动 制作 制造 | ||
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成阱区；
在所述半导体衬底和阱区上表面形成氧化硅层；
在所述阱区中形成沟槽；
在所述沟槽内壁形成栅氧化层；
在所述沟槽进行多晶硅填充形成所述栅极结构；
在所述沟槽两侧形成位于所述阱区的源区与漏区。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底和阱区上表面形成氧化硅层具体包括，所述半导体衬底和阱区上表面通过低压化学气相淀积形成氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述阱区形成沟槽具体包括，所述氧化硅层和所述阱区通过光刻刻蚀形成若干条垂直于所述半导体上表面的沟槽。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅氧化层之前具体包括，在沟槽内部形成牺牲氧化层并去除牺牲氧化层，用于消除沟槽侧壁的刻蚀损伤。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内壁形成栅氧化层具体包括，在所述沟槽底面和侧壁通过干氧氧化形成所述栅氧化层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅氧化层之后具体包括，对所述沟槽侧壁通过离子注入工艺调节阈值电压。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅极结构具体包括：
对已调节阈值电压的所述沟槽进行多晶硅的填充；
对填充后的多晶硅进行以硅氧化层为阻挡层进行干法回刻，用于保留沟槽内部的多晶硅。
8.一种晶体管，其特征在于，包括:
半导体衬底；
阱区，形成于所述半导体衬底上；
氧化硅层，形成于所述半导体衬底和阱区上表面；
形成于所述阱区中的若干条沟槽；
栅氧化层，形成于所述沟槽内壁；
栅极结构，通过在所述沟槽内填充有多晶硅以形成；
源区和漏区，分别形成于所述沟槽的两侧。
9.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述源区与漏区具体通过对硅氧化层进行光刻和通过离子注入工艺形成重掺杂N+层，且其形成于所述阱区靠近栅极结构的上表面。
10.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括体区，所述体区形成于所述阱区靠近源区一侧的上表面。
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