[发明专利]功率芯片的封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种功率芯片的封装结构，其包括基板及设置在所述基板上的功率芯片，所述功率芯片包括衬底，其特征在于，所述功率芯片的封装结构还包括至少一个散热结构，所述散热结构设置于所述功率芯片的隔离区，所述散热结构包括形成在衬底内的腔体、附着在所述腔体内侧壁上的导热层及连接所述导热层与所述基板的金属层。

2.根据权利要求1所述的功率芯片的封装结构，其特征在于，所述功率芯片包括划片道区和至少一个元胞，所述划片道区设置在所述功率芯片的边缘，且所述划片道区将所述元胞包围在所述功率芯片中间。

3.根据权利要求2所述的功率芯片的封装结构，其特征在于，当所述功率芯片内元胞的数量为多个时，所述多个元胞之间还设置有间隔区。

4.根据权利要求3所述的功率芯片的封装结构，其特征在于，所述散热结构设置在所述功率芯片的隔离区内，所述隔离区包括划片道区和/或间隔区。

5.根据权利要求1所述的功率芯片的封装结构，其特征在于，在所述功率芯片的下表面上设置所述金属层。

6.根据权利要求1所述的功率芯片的封装结构，其特征在于，所述功率芯片的封装结构还包括散热片，所述散热片与所述基板的远离导热层的一侧连接。

7.一种功率芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供功率芯片，所述功率芯片上设置有隔离区；

S2：采用干法刻蚀在所述功率芯片上表面的隔离区刻蚀形成沟槽，所述沟槽的底部延伸至所述功率芯片的衬底；

S3：在所述功率芯片上表面、所述沟槽侧壁和所述沟槽底部设置保护层，之后去除所述沟槽底部的保护层；

S4：从所述沟槽底部刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成腔体；

S5：在所述腔体内填充金属，对部分所述金属进行蚀刻，形成附着在所述腔体内侧壁的导热层；

S6：对所述功率芯片的下表面进行刻蚀以使所述导热层部分暴露；

S7：在所述导热层暴露的区域上设置金属层；

S8：将所述金属层与基板连接。

8.根据权利要求7所述的功率芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，所述S5中，在所述腔体内填充金属之后进行热退火处理，接触所述衬底的金属转化成金属化合物，采用金属刻蚀液去除所述腔体内剩余的金属，并在所述腔体内侧壁形成一层由所述金属化合物组成的导热层。

9.根据权利要求7所述的功率芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，所述S5还包括在所述沟槽和所述腔体内填充绝缘材料。

10.根据权利要求7所述的功率芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，所述S7中采用电镀的方法在所述导热层暴露的区域上沉积金属以形成金属层。