[发明专利]一种Flash存储器中历史数据的读取方法及装置在审
申请号: | 201810928379.0 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN109299018A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 刘坤志 | 申请(专利权)人: | 深圳拓邦股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据索引 读取 数据结构 历史数据 无效数据 扇区 计算机技术领域 读取效率 顺序读取 有效地 准确率 上电 携带 检测 | ||
本发明适用于计算机技术领域,提供了一种Flash存储器中历史数据的读取方法及装置,所述方法包括:当检测到Flash存储器重新上电时,顺序读取Flash存储器扇区上的每个数据结构,这些数据结构至少携带相应的数据索引,判断读取的当前数据索引是否为无效数据,当当前数据索引为无效数据时,从Flash存储器的扇区上读取当前数据索引的前一数据索引所对应的数据结构,当前数据索引为当前读取的数据结构的数据索引,从而有效地提高了Flash存储器上历史数据的读取效率和准确率。
技术领域
本发明属于计算机技术领域,尤其涉及一种Flash存储器中历史数据的读取方法及装置。
背景技术
闪存(Flash Memory,简称Flash)属于内存器件的一种,是非易失性内存,在没有电流供应的条件下也能够长久的保持数据,该特性使得Flash存储器成为各类便携式型数字设备的一种存储介质。
Flash存储器在写入数据时,必须先进行擦除操作,由于Flash存储器的充放电特性,使得Flash存储器的读写次数有物理上的限制。为了减小Flash存储器读写数据时所受到的损耗,市面上大部分的Flash存储器预留有缓冲空间,该缓冲空间并不是固定的某个区块。然而,这使得存储在Flash存储器上的历史数据在Flash存储器上的位置可能发生变化,影响Flash存储器上历史数据的读取效率和准确率。
发明内容
本发明实施例提供一种Flash存储器中历史数据的读取方法,旨在解决Flash存储器中历史数据读取效率和准确率不高的问题。
本发明实施例是这样实现的:
当检测到Flash存储器重新上电时,顺序读取所述Flash存储器扇区上的每个数据结构,所述数据结构至少携带相应的数据索引;
判断读取的当前数据索引是否为无效数据,所述当前数据索引为当前读取的所述数据结构的数据索引;
当所述当前数据索引为无效数据时,从所述Flash存储器的扇区上读取所述当前数据索引的前一数据索引所对应的数据结构。
更进一步地,所述数据结构还携带有相应的设置参数。
更进一步地,从所述Flash存储器的扇区上读取所述当前数据索引的前一数据索引所对应的数据结构的步骤,包括:
判断所述当前数据索引是否为所述Flash存储器扇区上第256个数据索引;
当所述当前数据索引为所述第256个数据索引时,读取所述Flash存储器扇区上第254个数据索引对应的数据结构。
更进一步地,顺序读取所述Flash存储器扇区上的每个数据结构的步骤,包括:
从所述Flash存储器扇区上的第一个数据索引开始,逐个读取所述Flash存储器扇区上的每个数据结构。
本发明实施例还提供一种Flash存储器中历史数据的读取装置,其特征在于:
数据顺序读取单元,用于当检测到Flash存储器重新上电时,顺序读取所述Flash存储器扇区上的每个数据结构,所述数据结构至少携带相应的数据索引;
无效索引判断单元,用于判断读取的当前数据索引是否为无效数据,所述当前数据索引为当前读取的所述数据结构的数据索引;以及
前一数据读取单元,用于当所述当前数据索引为无效数据时,从所述Flash存储器的扇区上读取所述当前数据索引的前一数据索引所对应的数据结构。
更进一步地,所述数据结构还携带有相应的设置参数。
更进一步地,所述前一数据读取单元包括:
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