[发明专利]像素结构与显示装置有效
申请号: | 201810928711.3 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN108828854B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 叶家宏;洪敏之 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1334 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 显示装置 | ||
本发明提供一种像素结构与显示装置。像素结构包含基板、主动元件、保护层、第一电极、绝缘层、突起物与第二电极。主动元件设置于基板。保护层设置于主动元件与基板上。第一电极配置于保护层上。突起物配置于绝缘层上方,且突起物于基板的垂直投影和第一电极于基板的垂直投影不重叠。第二电极位于突起物的至少一侧壁上。
技术领域
本发明涉及显示技术,特别是一种具有低驱动电压的像素结构及显示装置。
背景技术
显示装置因具有低功率消耗、薄型量轻、色彩饱和度高、寿命长等优点而成为现代显示科技产品的主流之一。
传统技术中,显示装置的显示介质的型态会影响其显示特性。一般而言,对于应用了需要大电场驱动型的显示介质(例如,纳米胶囊微胞液晶)的显示装置而言,需要使用较高的驱动电压来产生所需的大电场,以正确驱动显示介质。然而,显示装置在高驱动电压的操作下,却容易劣化其基板上的主动元件,并进而降低其可靠度。
此外,在以水平电场驱动的显示装置中,一般多是以增加水平电极的数量或者减缩水平电极之间的间距来达到所需的电场强度。然而,这些举动却会影响到显示装置的开口率以及其像素设计。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种像素结构与显示装置。
在一实施例中,一种像素结构,其包含基板、主动元件、保护层、第一电极、绝缘层、突起物以及第二电极。主动元件设置于基板上。保护层设置于主动元件与基板上。第一电极配置于保护层上。绝缘层覆盖第一电极与保护层。突起物配置于绝缘层上方,且突起物于基板的垂直投影和第一电极于基板的垂直投影不重叠。第二电极位于突起物的至少一侧壁上。
在一实施例中,一种显示装置包含任一实施例的像素结构以及液晶层,且液晶层覆盖于第二电极、突起物以及绝缘层上。
综上所述,本发明实施例的像素结构及显示装置,其借由拓展像素电极及/或共用电极于基板的法线方向上的面积来提升水平电场的强度。在像素结构及显示装置的一实施例中,可通过突起物的设置来协助拓展像素电极及/或共用电极于基板的法线方向上的可配置面积。
此外,还可通过凹部的设置来协助拓展像素电极及/或共用电极于基板的法线方向上的可配置面积。
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征及优点,其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、权利要求范围及附图,任何熟习本领域技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。
附图说明
图1为像素结构的第一实施例的俯视示意图。
图2为图1中沿AA’剖线的一实施例的剖面示意图。
图3为像素结构的第二实施例的俯视示意图。
图4为图3中沿BB’剖线的一实施例的剖面示意图。
图5为像素结构的一实施方式的剖面示意图。
图6为像素结构的另一实施方式的剖面示意图。
图7为像素结构的第三实施例的俯视示意图。
图8为图7中沿CC’剖线的一实施例的剖面示意图。
图9为像素结构的第四实施例的俯视示意图。
图10为图9中沿DD’剖线的一实施例的剖面示意图。
图11为像素结构的第五实施例的俯视示意图。
图12为图11中沿EE’剖线的一实施例的剖面示意图。
图13为像素结构的第六实施例的俯视示意图。
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