[发明专利]一种半导体辅助元件的制作方法和半导体辅助元件有效
申请号: | 201810930424.6 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN110838442B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 陈儒 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/71 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 辅助 元件 制作方法 | ||
1.一种半导体辅助元件的制作方法,所述半导体辅助元件为不合格的半导体元件,用于放置在两个合格的半导体元件之间从而将所述两个合格的半导体元件隔开,其特征在于,包括:
获取若干个半导体辅助元件,对每一所述半导体辅助元件进行开槽,从而在所述半导体辅助元件的表面上形成若干个特定尺寸的应力释放槽;
根据沉积法对所述应力释放槽填充应力释放材料,以使所述应力释放材料填满所述应力释放槽,形成应力释放层;
在预设时间内对填充应力释放材料后的所述半导体辅助元件进行退火操作,以使所述应力释放层受热而流变,从而释放所述半导体辅助元件中的内应力;其中,所述退火操作的温度大于600℃;
其中所述半导体辅助元件的上表面上设有两个应力释放槽,所述导体辅助元件的下表面上设有三个应力释放槽。
2.如权利要求1所述的半导体辅助元件的制作方法,其特征在于,所述应力释放槽的长度为1.8~2.2mm,所述应力释放槽的宽度为0.6~1.0um,所述应力释放槽的高度为0.1~0.3um。
3.如权利要求1所述的半导体辅助元件的制作方法,其特征在于,所述应力释放材料包括硼硅玻璃和硼磷硅玻璃。
4.如权利要求1所述的半导体辅助元件的制作方法,其特征在于,所述应力释放槽的槽口的面积与所述应力释放槽的底部的横截面积相等。
5.如权利要求1所述的半导体辅助元件的制作方法,其特征在于,当所述半导体辅助元件的在同一表面上的应力释放槽大于两个时,相邻的两个所述应力释放槽之间的间距相等。
6.如权利要求1所述的半导体辅助元件的制作方法,其特征在于,所述沉积法为电化学气相沉积法。
7.一种半导体辅助元件,所述半导体辅助元件为不合格的半导体元件,用于放置在两个合格的半导体元件之间从而将所述两个合格的半导体元件隔开,其特征在于,包括半导体辅助元件本体和应力释放层;其中,
所述半导体辅助元件本体的表面上设有若干个特定尺寸的应力释放槽,所述应力释放槽用于填充应力释放材料,以使所述应力释放材料填满所述应力释放槽,从而形成所述应力释放层,以使在退火操作中所述应力释放层受热而流变,从而释放所述半导体辅助元件中的内应力;
所述半导体辅助元件的上表面上设有两个应力释放槽,所述导体辅助元件的下表面上设有三个应力释放槽。
8.如权利要求7所述的半导体辅助元件,其特征在于,所述应力释放槽的长度为1.8~2.2mm,所述应力释放槽的宽度为0.6~1.0um,所述应力释放槽的高度为0.1~0.3um;所述应力释放槽的槽口的面积与所述应力释放槽的底部的横截面积相等。
9.如权利要求7所述的半导体辅助元件,其特征在于,所述应力释放材料包括硼硅玻璃和硼磷硅玻璃;当所述半导体辅助元件的在同一表面上的应力释放槽大于两个时,相邻的两个所述应力释放槽之间的间距相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造