[发明专利]测试MOS功率开关

权利要求书

1.一种用于测试的方法，包括：

在开关器件的正常操作期间，对所述开关器件的开关晶体管执行至少两种测试测量，使得当对所述开关晶体管执行所述至少两种测试测量时不改变所述开关晶体管的开关状态，其中所述至少两种测试测量选自包括以下项的组中：

确定所述开关晶体管的栅极电容的度量，

确定所述开关晶体管两端的漏极-源极电压的度量，

确定所述开关晶体管的源极电压的度量，

测试耦合到所述开关晶体管的源极端子的分流电阻器，和

确定所述分流电阻器两端的电压降的度量，以及

基于所述至少两种测试测量来确定所述开关器件的故障状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：当所述栅极电容的度量指示所述开关晶体管的栅极阻抗高于第一预定值时，确定所述开关晶体管的端子断开。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，确定所述端子断开包括：如果在所述开关晶体管的导通状态中，所述漏极-源极电压的度量和所述分流电阻器两端的所述电压降的度量指示了所述漏极-源极电压与所述分流电阻器两端的所述电压降的比率高于第二预定值，则检测到所述端子断开。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：如果所述栅极电容的度量指示所述开关晶体管的栅极阻抗低于第三预定值，则确定存在栅极短路。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，如果所述源极电压的度量指示所述源极电压高于第四预定值，则确定存在所述栅极短路。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：如果所述漏极-源极电压的度量和所述分流电阻器两端的所述电压降的度量指示所述漏极-源极电压与所述分流电阻器两端的所述电压降的比率低于第五预定值，则确定存在漏极-源极短路。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，如果在所述开关晶体管的截止状态中，所述源极电压的度量指示了所述源极电压高于第六预定值，则确定存在所述漏极-源极短路。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：基于所述分流电阻器的测试来确定开路的分流端子和断开的分流端子中的一项。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：如果所述漏极-源极电压的度量和所述分流电阻器两端的电压的度量指示了所述漏极-源极电压与所述分流电阻器两端的电压的比率高于第七预定值，并且所述栅极电容的度量指示了所述开关晶体管的栅极阻抗基本上在预期范围内，则确定存在所述分流电阻器的短路。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：如果在所述开关晶体管的导通状态中，所述分流电阻器两端的电压的度量指示了所述分流电阻器两端的电压基本上等于提供给所述开关器件的电源电压，则确定分流电阻器开路。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：如果在所述开关晶体管的截止状态中，所述栅极电容的度量指示所述开关晶体管的栅极阻抗低于第八预定值，并且所述源极电压的度量指示所述源极电压基本上处于预期值，则确定栅极充电电路有缺陷。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述故障状态包括：基于所述源极电压的度量指示所述源极电压高于第九预定值，并且基于所述分流电阻器两端的电压的度量和所述漏极-源极电压的度量中的至少一个度量，确定模块外部的短路，所述模块包括用于执行所述至少两种测试测量的电路、所述开关晶体管和所述分流电阻器。