[发明专利]一种低记忆效应的功率放大系统和功率放大器

权利要求书

1.一种低记忆效应的功率放大系统，其特征在于，包括放大模块、信号输入端、信号输出端和至少一个谐振网络；

所述放大模块包括接地端、输入端和输出端，所述放大模块的输入端与所述信号输入端电连接，所述放大模块的输出端与所述信号输出端电连接，所述放大模块的接地端接地；

至少一个所述谐振网络的第一端电连接至所述信号输入端与所述放大模块的输入端之间，和/或至少一个所述谐振网络的第一端电连接至所述信号输出端与所述放大模块的输出端之间，所述谐振网络的第二端接地；所述谐振网络包括至少一组谐振电路；所述谐振网络的谐振频率等于所述低记忆效应的功率放大器的输入信号中的包络信号的工作频率。

2.根据权利要求1所述的低记忆效应的功率放大系统，其特征在于，所述谐振网络包括多组谐振电路，各组所述谐振电路相并联。

3.根据权利要求1或2所述的低记忆效应的功率放大器功率放大系统，其特征在于，所述谐振电路包括串联的谐振电感和谐振电容。

4.根据权利要求3所述的低记忆效应的功率放大系统，其特征在于，所述谐振电容包括第一极板、第二极板和位于所述第一极板与所述第二极板之间的介电层；

所述第一极板通过键合线电连接至所述放大模块的输入端或输出端，所述第二极板接地。

5.根据权利要求1所述的低记忆效应的功率放大系统，其特征在于，还包括输入网络和输出网络；

所述输入网络与所述放大模块的输入端电连接，用于对所述输入信号进行阻抗匹配；

所述输出网络与所述放大模块的输出端电连接，用于对所述低记忆效应的功率放大器的输出信号进行阻抗匹配。

6.根据权利要求5所述的低记忆效应的功率放大系统，其特征在于，所述谐振网络集成于所述输入网络和/或所述输出网络中。

7.一种低记忆效应的功率放大器，其特征在于，包括基板和权利要求1-6任一所述的低记忆效应的功率放大系统；

所述放大模块与所述谐振网络均设置在所述基板上。

8.根据权利要求7所述的低记忆效应的功率放大器，其特征在于，所述基板接地，所述谐振网络的第二端和所述放大模块的接地端均与所述基板电连接。

9.根据权利要求7所述的低记忆效应的功率放大器，其特征在于，所述放大模块为晶体管，所述晶体管包括半导体基底和位于所述半导体基底上的栅极、源极以及漏极，所述栅极为所述放大模块的输入端，所述漏极为所述放大模块的输出端，所述源极为所述放大模块的接地端；所述晶体管固定于所述基板表面，所述源极通过通孔与所述基板电连接。

10.根据权利要求7-9任一项所述的低记忆效应的功率放大器，其特征在于，该低记忆效应的功率放大器还包括功放管壳，所述功放管壳包括管壳底座、管壳输入端和管壳输出端；

所述管壳底座为所述基板，所述管壳输入端为所述信号输入端，所述管壳输出端为所述信号输出端。