[发明专利]一种压电双晶片等效电路模型参数提取方法在审

专利信息
申请号: 201810931377.7 申请日: 2018-08-15
公开(公告)号: CN109299506A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 马建国;赵升;周绍华 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 吴学颖
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 压电双晶片 等效电路模型 机械品质因数 参数提取 静态电容 谐振频率 短路 恒定 电学测量仪器 输出电压特性 压电耦合系数 压电发电机 等效电感 等效电容 等效电阻 等效输入 负载电阻 关系曲线 环境振动 输出电压 谐振电压 振动频率 正弦振动 最大功率 振动源 扫频 开路 测量 自由
【权利要求书】:

1.一种压电双晶片等效电路模型参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,将压电双晶片一端固定在振动源上,另一端自由,保持恒定正弦振动加速度幅值a,通过扫频获得不同负载电阻RL下压电双晶片输出电压与振动频率的关系曲线;

步骤二,根据步骤一获得的不同负载电阻RL下压电双晶片输出电压与振动频率的关系曲线,确定短路谐振频率fsc、开路谐振频率foc、静态电容Cmc、机械品质因数Qoc、机械品质因数QML、最大功率值Popt、短路谐振电压VMLsc);

步骤三,将得到的fsc、foc、Qoc、QML、Popt、VMLsc)、a,带入以下公式计算得到压电双晶片等效电路模型参数:等效电感Lm、等效电容Cm、等效电阻Rm、压电双晶片的等效输入应力VF、压电双晶片的压电耦合系数A、压电双晶片的静态电容Cmc的值,

VF=ma

其中,m是压电双晶片的等效质量,ωoc是开路谐振频率foc所对应的角频率,ωsc是短路谐振频率fsc所对应的角频率;所述静态电容Cmc由电容表测量压电双晶片电容得到。

2.根据权利要求1所述的压电双晶片等效电路模型参数提取方法,其特征在于,步骤二中所述短路谐振频率fsc是负载电阻为50Ω时的最大输出电压所对应的频率值;所述开路谐振频率foc是负载开路时的最大输出电压所对应的频率值;所述静态电容Cmc由电容表测量压电双晶片电容得到;所述机械品质因数Qoc为负载开路时输出电压与振动频率的关系曲线的Q值;固定振动频率为fsc,扫描改变负载电阻RL阻值,测量输出电压V并且计算负载RL所消耗功率P,取最大功率值Popt对应的电阻值RML和相应的短路谐振电压VMLsc);所述机械品质因数QML为负载RL为RML时输出电压与振动频率的关系曲线的Q值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810931377.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top