[发明专利]一种显示基板及其制造方法有效
申请号: | 201810932281.2 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN109119444B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 吴威谚 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示基板,包括衬底基板和位于衬底基板上的晶体管阵列层,还包括位于晶体管阵列层上的像素定义层和位于像素定义层上的第一膜层;像素定义层远离衬底基板的一侧为可控性表面,像素定义层内聚合物分子的性质和排列方式受第一电极产生的电场影响,进而控制第一电极上方的可控性表面在喷墨打印步骤中具有亲水性,在干燥烘烤步骤中具有疏水性;第一膜层包括多个与第一表面接触的色块;本发明的显示基板采用可电控表面亲疏水性的像素定义层,达到无需挡墙即可进行图案化喷墨打印的效果,有效解决了喷墨打印偏差和咖啡环效应的问题;本发明还公开了一种显示基板的制造方法。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制造方法。
技术背景
当前是显示技术快速更迭的时代,OLED显示技术成为行业热点,但成本过高、产率低等问题难以满足市场的需求,从技术的角度来看,主要还是由于制作工艺所导致的。目前,OLED显示面板主要为FMM蒸镀工艺(FMM,Fine Metal Mask,精细金属掩膜),但材料利用率低、均匀性差等缺点导致其成本居高不下;而喷墨印刷工艺是一个更高效的技术,具有材料利用率高、可大面积化等优势,图1为现有喷墨印刷工艺的示意图。
通过喷墨印刷工艺制作像素时,必须在衬底基板01上设置挡墙11(Bank)结构来限定墨水的流动。如图2所示,一般挡墙11高度约在2μm左右,而且为了避免印刷时因相邻像素过近,或是打印错位而造成的相邻像素间墨水031的融合现象,挡墙11须有一定的宽度限制(通常约25μm以上)。如此一来,可视区利用率便被限制住,难以制作高解析度的显示器。
此外,咖啡环效应为喷墨打印过程中一种常见的现象,它会导致材料的不均匀沉积,影响打印图案的分辨率以及所制备器件的性能。原因是由于墨水031的液滴边缘溶剂蒸发速率大于中心蒸发速率,致使液滴内部产生流动而将悬浮的溶质粒子携带至液滴边缘,并在边缘沉积成较厚的环状干膜。而减轻咖啡环效应的方式之一是控制液滴蒸发行为,使液滴随着蒸发逐渐缩小,而非仅是液面高度下降,即可使干燥的膜厚形成较为均匀的分布,如图3所示。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种显示基板,达到无需挡墙即可进行图案化喷墨打印的效果,并解决了喷墨打印偏差和咖啡环效应的问题,本发明还提供了一种显示基板的制造方法。
本发明提供的技术方案如下:
本发明公开了一种显示基板,包括衬底基板和位于衬底基板上的晶体管阵列层,所述晶体管阵列层包括纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元,每个像素单元内设有薄膜晶体管和连接薄膜晶体管的第一电极;还包括:
位于晶体管阵列层上的像素定义层,所述像素定义层远离晶体管阵列层的一侧为可控性表面,所述可控性表面包括第一电极上方的第一表面;其中,当所述第一电极输入第一电压时,所述第一电极上方的第一表面具有亲水性;当所述第一电极输入第二电压时,所述第一电极上方的第一表面具有疏水性;所述第一电压和第二电压正负性相反;
位于像素定义层上的第一膜层,所述第一膜层包括多个色块,所述色块与所述第一表面接触,每个色块间隔像素定义层与第一电极相对。
本发明还公开了一种显示基板,包括衬底基板和位于衬底基板上的晶体管阵列层,所述晶体管阵列层包括纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元,每个像素单元内设有薄膜晶体管和连接薄膜晶体管的第一电极;还包括:
位于晶体管阵列层上的像素定义层,所述像素定义层远离晶体管阵列层的一侧为可控性表面,所述可控性表面包括第一电极上方的第一表面;
位于像素定义层上的多个第二电极,每个像素单元内的第一电极与至少一个第二电极相对应;其中,当输入第一电极的电压小于输入对应的第二电极的电压时,所述第一电极上方的第一表面具有亲水性;当输入第一电极的电压大于输入对应的第二电极的电压时,所述第一电极上方的第一表面具有疏水性;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的