[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

第一步，在玻璃基板上形成栅极层，并且图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、以及位于端子区域内的栅极；

第二步，在栅极层上形成栅极绝缘层；

第三步，在栅极绝缘层上形成半导体层；

第四步，在半导体层上形成源漏极层；

第五步，在源漏极层上形成光阻层，采用半透掩膜版对光阻层进行曝光

处理，半透掩膜版形成有光阻层覆盖的像素区域和有光阻层覆盖的端子区域以及无光阻层覆盖的端子区域；所述有光阻层覆盖的像素区域包括薄光阻层覆盖的像素区域和厚光阻层覆盖的像素区域；

第六步，对无光阻层覆盖的端子区域的源漏极层和薄光阻层覆盖的像素区域同时进行干刻，使得薄光阻层覆盖的像素区域的光阻层和无光阻层覆盖的端子区域的源漏极层同时被刻完，无光阻层覆盖的端子区域露出半导体层，薄光阻覆盖的像素区域露出源漏极层；

第七步，对无光阻层覆盖的端子区域露出半导体层进行湿刻；

第八步，对薄光阻层覆盖的像素区域露出的源漏极层进行干刻；

第九步，对厚光阻层覆盖的像素区域以及有光阻层覆盖的端子区域进行光阻层剥离。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤第六步和第八步中，干刻采用混合气体进行干刻，所述混合气体为氧气和氯气或者氧气和氟硅酸。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤第六步和第八步中，在进行干刻时，先通氧气对源漏极层进行侧壁氧化，再通氯气或者氟硅酸对源漏极层进行刻蚀。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤五中半透掩膜版包括全透区、半透区以及不透区，所述半透区的透过率为15％～50％。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述薄光阻覆盖的像素区域的光阻层的厚度为0.4um～1um。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤七所采用的湿刻溶液金属刻蚀速率远小于半导体层刻蚀速率。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述湿刻溶液为草酸，所述金属刻蚀速率为所述半导体层湿刻速率为

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述半导体层为IGZO半导体层。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述源漏极层为双层金属结构，包括与半导体层接触的第一子金属层和与第一子金属层接触的第二子金属层。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用上述权利要求1-9任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法制造。