[发明专利]一种用于抗反射有机硬掩模的组合物

说明书

一种用于抗反射有机硬掩模的组合物，其特征在于：组合物包括含芳环的聚合物，该聚合物如式1所示：。本发明具有有用范围的折射率和吸收率，可以使刻胶和背面层之间的反射率最小化。

技术领域

本发明涉及一种适用于平版印刷术的硬掩膜组合物。本发明更具体地涉及一种用于抗反射有机硬掩模的组合物

背景技术

最近，由于电子设备面板的小型化、复杂化而高集积性的设计，加速了更先进材料和相关工艺的开发，因此现有光刻胶的平板印刷术也需要采用新的材料和技术。

在图案形成工艺中为了保持图案具有足够的深度且不会塌陷，从而将光刻胶的精细图案转移至基板，可以形成被称为硬掩模层(hardmask layer)的有机膜，该硬掩模层是中间层。

硬掩模层作为中间层是通过选择性蚀刻工艺将光刻胶的精细图案转移到材料层。因此，硬掩模层必须具有耐热性和耐腐蚀性的性质以及可以承受多次蚀刻工艺的能力。

同时，近年来已经提出，通过旋涂涂覆法(spin-on coating)代替化学气相沉积(CVD)法形成硬掩模物层。旋涂涂覆法不仅易于加工，而且可以提高填补空缺(gap-fill)和平坦化特性。

通常，耐刻蚀性是跟旋涂涂覆特性相互矛盾，并且需要能够满足所有这些性能的有机膜材料。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中上述问题而进行的，本发明提供一种具有高蚀刻选择性和多重蚀刻性以及足够的抗反射性的组合物，使刻胶(resist)和背面层之间的反射率最小化。本发明涉及内容是掩模材料中具有足够的耐蚀刻性同时溶解性优秀的新型有机硬掩模材料。

一种用于抗反射有机硬掩模的组合物，组合物包括含芳环的聚合物，该聚合物如式1所示：

其中，Ar₁为氢、氘、卤素基、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、取代或未取代C₁～C₃₀的烷基、取代或未取代C₂～C₃₀的链烯基、取代或未取代C₂～C₃₀的炔基、取代或未取代C₁～C₁₀的烷氧基、取代或未取代C₃～C₁₀的环烷基、取代或未取代C₂～C₁₀的杂环烷基、取代或未取代C₆～C₃₀的芳基、取代或未取代C₂～C₃₀的杂芳基、取代或未取代C₆～C₃₀的芳氧基、取代或未取代C₆～C₃₀的芳硫基；或它们的任意组合；

X为单键、取代或未取代的C₁～C₂₀的亚烷基、取代或未取代的C₆～C₃₀的亚芳基或它们的任意组合；

Y为具有至少一个羟基被取代的C₁～C₂₀的亚烷基、具有至少一个羟基被取代的C₆～C₃₀的亚芳基、具有至少一个羟基被取代的C₂～C₃₀的杂芳基或它们的任意组合；

Z₁～Z₃的取值范围分别为Z₁/(Z₁+Z₂+Z₃)＝0.05～0.45,Z₂/(Z₁+Z₂+Z₃)＝0.5,Z₃/(Z₁+Z₂+Z₃)＝0.05～0.45。