[发明专利]外延结构的减薄方法有效
| 申请号： | 201810933827.6 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109065449B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 结构 方法 | ||
1.一种外延结构的减薄方法，其特征在于，包括：
依次形成第二外延层、刻蚀阻挡层及第一外延层，其中，所述第一外延层包括势垒层加氮化镓沟道层；所述第二外延层包括氮化镓缓冲层；
通过晶圆键合和衬底剥离将所述第二外延层、所述刻蚀阻挡层及所述第一外延层倒置以得到一待减薄的外延结构，所示外延结构包括所述第一外延层、所述第二外延层和位于所述第一外延层与第二外延层之间的所述刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层为AlGaN/GaN或者ScAlN/GaN超晶格结构；
对所述第二外延层的表面进行针对性的刻蚀预处理以改善所述第二外延层的厚度均匀性；
以第一刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀，直至第二外延层达到预定厚度，其中，所述第二外延层达到预定厚度后，研磨所述第二外延层表面，去除刻蚀过程中产生的腐蚀坑；
以第二刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀，去除剩余的第二外延层；
对所述刻蚀阻挡层进行研磨，去除所述刻蚀阻挡层，暴露出第一外延层。
2.根据权利要求1所述的外延结构的减薄方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率大于所述第二刻蚀速率。
3.根据权利要求1所述的外延结构的减薄方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层材料为ScAlN或者AlGaN。
4.根据权利要求1所述的外延结构的减薄方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度小于100nm。
5.根据权利要求1所述的外延结构的减薄方法，其特征在于，所述预定厚度为0.5um-1um。
6.根据权利要求1所述的外延结构的减薄方法，其特征在于，所述研磨为化学机械研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
