[发明专利]反向导通IGBT

权利要求书

1.一种功率半导体器件（1），其具有半导体主体（10）、被布置在半导体主体（10）的前侧（10-1）的第一负载端子结构（11）、以及被布置在半导体主体（10）的后侧（10-2）的第二负载端子结构（12），并且被配置用于借助于至少一个晶体管单元（130）来控制在第一负载端子结构（11）和第二负载端子结构（12）之间的负载电流，所述晶体管单元（130）至少部分地被包括在半导体主体（10）中并且在一侧被电气连接到第一负载端子结构（11）并且在另一侧被电气连接到半导体主体（10）的漂移区（100），所述漂移区（100）具有第一导电类型，

其中所述半导体主体（10）进一步包括：

- 具有第一导电类型的晶体管短区（107），其中在所述晶体管短区（107）与第一负载端子结构（11）之间的过渡形成肖特基接触（108）；以及

- 分离区（109），所述分离区（109）使晶体管短区（107）与漂移区（100）分离并且具有与第一导电类型互补的第二导电类型。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件（1），其中所述晶体管短区（107）包括与第一负载端子结构（11）对接的第一部分（107-1）以及与分离区（109）对接的第二部分（107-2），所述第一部分（107-1）内的第一导电类型的掺杂剂的浓度是第二部分（107-2）内的第一导电类型的掺杂剂的浓度的至多1/10。

3.根据前述权利要求之一所述的功率半导体器件（1），其中，在所述晶体管短区（107）内，第一导电类型的掺杂剂的浓度沿着从分离区（109）指向第一负载端子结构（11）的方向至少减少到1/10。

4.根据前述权利要求之一所述的功率半导体器件（1），包括至少两个晶体管单元（130），其中所述晶体管短区（107）被布置在所述至少两个晶体管单元（130）外部并且横向地在所述至少两个晶体管单元（130）中间。

5.根据前述权利要求之一所述的功率半导体器件（1），其中所述半导体主体（10）包括第一后侧发射极区（105），所述第一后侧发射极区（105）被布置成与第二负载端子结构（12）电接触并且具有第二导电类型。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件（1），其中所述至少一个晶体管单元（130）展现有与第一后侧发射极区（105）的至少第一共同横向延伸范围（LX1）。

7.根据前述权利要求之一所述的功率半导体器件（1），其中所述半导体主体（10）包括第二后侧发射极区（106），所述第二后侧发射极区（106）被布置成与第二负载端子结构（12）电接触并且具有第一导电类型。

8.根据前述权利要求之一所述的功率半导体器件（1），其中所述半导体主体（10）进一步包括具有第二导电类型的二极管发射极区（102），所述二极管发射极区（102）被布置在所述至少一个晶体管单元（130）的外部并且电气连接到第一负载端子结构（11），其中在二极管发射极区（102）和漂移区（100）之间的过渡形成pn结（103）。

9.根据权利要求7和8所述的功率半导体器件（1），其中所述二极管发射极区（102）展现有与第二后侧发射极区（106）的至少第二共同横向延伸范围（LX2）。

10.根据权利要求8或9所述的功率半导体器件（1），其中所述二极管发射极区（102）的横向延伸（W1）共计所述至少一个晶体管单元（130）的横向延伸（W2）的至少3倍。

11.根据权利要求8至10之一所述的功率半导体器件（1），其中所述二极管发射极区（102）包括被布置成与第一负载端子结构（11）接触的第二端口区（1020），其中所述第二端口区（1020）内的第二导电类型的掺杂剂的浓度是二极管发射极区（102）的其余部分内的第二导电类型的掺杂剂的浓度的至少10倍。