[发明专利]一种低压驱动高增益值的反相器及其制备方法

权利要求书

1.一种低压驱动高增益值的反相器，其特征在于：包括衬底、第一底电极、第二底电极、绝缘层、修饰层、有源层和顶电极；所述第一底电极和第二底电极设置在所述衬底上并相互分离；所述绝缘层为Al₂O₃薄膜，其覆盖所述衬底、第一底电极和第二底电极上表面；所述修饰层设置在所述绝缘层上表面；所述有源层包括相互分离的PTCDI-C8薄膜和并五苯薄膜，所述PTCDI-C8薄膜设置在所述修饰层表面并与所述第一底电极相对，所述并五苯薄膜设置在所述修饰层表面并与所述第二底电极相对；所述顶电极设置在所述修饰层表面同时覆盖部分覆盖所述PTCDI-C8薄膜和并五苯薄膜上表面，并穿过所述修饰层和绝缘层与第一底电极、第二底电极连接。

2.根据权利要求1所述低压驱动高增益值的反相器，其特征在于：所述Al₂O₃薄膜厚度为20～30nm。

3.根据权利要求2所述低压驱动高增益值的反相器，其特征在于：所述修饰层为PαMS薄膜。

4.根据权利要求3所述低压驱动高增益值的反相器，其特征在于：所述PTCDI-C8薄膜和并五苯薄膜厚度相同，均为40～60nm。

5.根据权利要求4所述低压驱动高增益值的反相器，其特征在于：所述底电极和顶电极均为Au，厚度均为20～40nm。

6.一种低压驱动高增益值的反相器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在衬底上沉积相互分离的第一底电极和第二底电极；

2)沉积Al₂O₃薄膜作为绝缘层；

3)在所述Al₂O₃薄膜上旋涂PαMS溶液并进行退火处理得到PαMS薄膜作为修饰层；

4)在所述PαMS薄膜上与所述第一底电极相对的位置沉积PTCDI-C8薄膜，在所述PαMS薄膜上与所述第二底电极相对的位置沉积并五苯薄膜；

5)沉积覆盖PαMS薄膜、PTCDI-C8薄膜和并五苯薄膜的顶电极，然后刺穿所述PαMS薄膜和La₂O₃薄膜将所述顶电极与第一底电极、第二底电极连接起来。

7.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：步骤2)所述Al₂O₃薄膜采用原子沉积方法得到，沉积温度为140～150℃，沉积厚度为20～30nm。

8.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：步骤3)所述退火处理条件为在60～120℃下保持5～20min。

9.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：所述PTCDI-C8薄膜和并五苯薄膜均采用热蒸发法沉积得到，其沉积速率为0.02nm/s，沉积厚度为40-60nm，沉积时的衬底温度为50-100℃，气压为5×10^-4～8×10^-4Pa。

10.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于：所述第一底电极、第二底电极和顶电极均为Au，均采用热蒸发法沉积得到，其沉积速率为0.02nm/s，沉积厚度为20～40nm，沉积时的气压为5×10^-4～7×10^-4Pa。