[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

电阻变化型存储单元，存储数据；

第1充电部，充入基于在所述存储单元中流动的电流的电荷；

第2充电部，经由开关元件连接在所述第1充电部；

读出放大器，基于充入到所述第2充电部的电荷，判定存储在所述存储单元的数据；以及

控制电路，控制所述第1充电部、所述第2充电部、及所述读出放大器；且

所述控制电路在读出动作中，

通过对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第1电荷，且将所述开关元件接通，而将基于所充入的所述第1电荷的第2电荷与所述第2充电部共享；

通过对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷，且将所述开关元件接通，而将基于所述第2电荷及所述第3电荷的第4电荷与所述第2充电部共享；

通过将所共享的所述第4电荷供给到所述读出放大器，而判定存储在所述存储单元的数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

第1配线，连接在所述存储单元的第1端、及所述第1充电部；以及

第2配线，连接在所述存储单元的第2端；且

所述控制电路在读出动作中，

对所述第1配线进行充电，

在对所述第1配线充电后，对所述第2配线进行充电，由此使电流在所述存储单元中流动。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路在读出动作中，

将所述第1配线充电至第1电压，

在对所述第1配线充电后，将所述第2配线充电至高于所述第1电压的第2电压，由此使电流在所述存储单元中流动。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路在读出动作中，

将所述第1配线充电至第3电压，

在对所述第1配线充电后，将所述第2配线充电至低于所述第3电压的第4电压，由此使电流在所述存储单元中流动。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路在读出动作中，

在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前，对所述第1配线进行充电，

通过停止所述第1配线的充电，使电流在所述存储单元中流动而充入所述第3电荷。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路在读出动作中，

在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前，将所述第1配线充电至所述第1电压。

7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路在读出动作中，

在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前，将所述第1配线充电至所述第3电压。

8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述第4电荷大于所述第2电荷。

9.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述第4电荷小于所述第2电荷。

10.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第1配线为位线，所述第2配线为字线。

11.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第1配线为字线，所述第2配线为位线。