[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201810935178.3 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN110299166B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 犬塚雄貴;鈴木義典 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
电阻变化型存储单元,存储数据;
第1充电部,充入基于在所述存储单元中流动的电流的电荷;
第2充电部,经由开关元件连接在所述第1充电部;
读出放大器,基于充入到所述第2充电部的电荷,判定存储在所述存储单元的数据;以及
控制电路,控制所述第1充电部、所述第2充电部、及所述读出放大器;且
所述控制电路在读出动作中,
通过对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第1电荷,且将所述开关元件接通,而将基于所充入的所述第1电荷的第2电荷与所述第2充电部共享;
通过对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷,且将所述开关元件接通,而将基于所述第2电荷及所述第3电荷的第4电荷与所述第2充电部共享;
通过将所共享的所述第4电荷供给到所述读出放大器,而判定存储在所述存储单元的数据。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其还具备:
第1配线,连接在所述存储单元的第1端、及所述第1充电部;以及
第2配线,连接在所述存储单元的第2端;且
所述控制电路在读出动作中,
对所述第1配线进行充电,
在对所述第1配线充电后,对所述第2配线进行充电,由此使电流在所述存储单元中流动。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路在读出动作中,
将所述第1配线充电至第1电压,
在对所述第1配线充电后,将所述第2配线充电至高于所述第1电压的第2电压,由此使电流在所述存储单元中流动。
4.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路在读出动作中,
将所述第1配线充电至第3电压,
在对所述第1配线充电后,将所述第2配线充电至低于所述第3电压的第4电压,由此使电流在所述存储单元中流动。
5.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路在读出动作中,
在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前,对所述第1配线进行充电,
通过停止所述第1配线的充电,使电流在所述存储单元中流动而充入所述第3电荷。
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路在读出动作中,
在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前,将所述第1配线充电至所述第1电压。
7.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路在读出动作中,
在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前,将所述第1配线充电至所述第3电压。
8.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中
所述第4电荷大于所述第2电荷。
9.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中
所述第4电荷小于所述第2电荷。
10.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中
所述第1配线为位线,所述第2配线为字线。
11.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中
所述第1配线为字线,所述第2配线为位线。
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