[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201810935178.3 申请日: 2018-08-16
公开(公告)号: CN110299166B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 犬塚雄貴;鈴木義典 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,具备:

电阻变化型存储单元,存储数据;

第1充电部,充入基于在所述存储单元中流动的电流的电荷;

第2充电部,经由开关元件连接在所述第1充电部;

读出放大器,基于充入到所述第2充电部的电荷,判定存储在所述存储单元的数据;以及

控制电路,控制所述第1充电部、所述第2充电部、及所述读出放大器;且

所述控制电路在读出动作中,

通过对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第1电荷,且将所述开关元件接通,而将基于所充入的所述第1电荷的第2电荷与所述第2充电部共享;

通过对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷,且将所述开关元件接通,而将基于所述第2电荷及所述第3电荷的第4电荷与所述第2充电部共享;

通过将所共享的所述第4电荷供给到所述读出放大器,而判定存储在所述存储单元的数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其还具备:

第1配线,连接在所述存储单元的第1端、及所述第1充电部;以及

第2配线,连接在所述存储单元的第2端;且

所述控制电路在读出动作中,

对所述第1配线进行充电,

在对所述第1配线充电后,对所述第2配线进行充电,由此使电流在所述存储单元中流动。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中

所述控制电路在读出动作中,

将所述第1配线充电至第1电压,

在对所述第1配线充电后,将所述第2配线充电至高于所述第1电压的第2电压,由此使电流在所述存储单元中流动。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中

所述控制电路在读出动作中,

将所述第1配线充电至第3电压,

在对所述第1配线充电后,将所述第2配线充电至低于所述第3电压的第4电压,由此使电流在所述存储单元中流动。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中

所述控制电路在读出动作中,

在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前,对所述第1配线进行充电,

通过停止所述第1配线的充电,使电流在所述存储单元中流动而充入所述第3电荷。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中

所述控制电路在读出动作中,

在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前,将所述第1配线充电至所述第1电压。

7.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中

所述控制电路在读出动作中,

在对所述第1充电部充入基于在所述存储单元中流动的电流的第3电荷之前,将所述第1配线充电至所述第3电压。

8.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中

所述第4电荷大于所述第2电荷。

9.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中

所述第4电荷小于所述第2电荷。

10.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中

所述第1配线为位线,所述第2配线为字线。

11.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中

所述第1配线为字线,所述第2配线为位线。

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