[发明专利]一种C8-BTBT晶体管湿度检测方法在审
| 申请号： | 201810935350.5 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109254238A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;麦嘉盈;唐乃维 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N27/00 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 迁移率 传输特性曲线 标准曲线 湿度检测 饱和区 标准曲线确定 湿度环境 检测 | ||
1.一种C8-BTBT晶体管湿度检测方法，其特征在于包括以下步骤：
S1：将C8-BTBT晶体管依次置于一系列具有梯度差的湿度环境下，分别测得所述C8-BTBT晶体管在各湿度下饱和区的传输特性曲线，根据该传输特性曲线计算出不同湿度下C8-BTBT晶体管的迁移率，从而得到湿度-迁移率标准曲线；
S2：将C8-BTBT晶体管置于待测环境中，测得其饱和区的传输特性曲线，根据该传输特性曲线计算得到C8-BTBT晶体管在待测环境中的迁移率μ，将μ代入上述湿度-迁移率标准曲线即可得到待测湿度值。
2.根据权利要求1所述C8-BTBT晶体管湿度检测方法，其特征在于：步骤S1所述湿度为35％～95％。
3.根据权利要求2所述C8-BTBT晶体管湿度检测方法，其特征在于：所述迁移率的计算方法为其中μsat为饱和迁移率，L为沟道长度，W为沟道宽度，Id(sat)为沟道电流，Vg为栅极电压，Ci为平均电容。
4.根据权利要求3所述C8-BTBT晶体管湿度检测方法，其特征在于：所述C8-BTBT晶体管包括衬底以及衬底上依次层叠的氧化硅栅极、C8-BTBT有源层、MoO3缓冲层和源漏电极。
5.根据权利要求4所述C8-BTBT晶体管湿度检测方法，其特征在于：所述传输特性曲线的测试方法为，在常温常压下，对C8-BTBT晶体管的源漏电极施加-40V的电压，对C8-BTBT晶体管的栅极施加-30～2V的电压。
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