[发明专利]一种T型整流电路及相应的三相整流电路在审

专利信息
申请号: 201810935608.1 申请日: 2018-08-16
公开(公告)号: CN108988668A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 陈四雄;林伟民;易龙强 申请(专利权)人: 厦门科华恒盛股份有限公司;漳州科华技术有限责任公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 王仲凯
地址: 361000 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 整流电路 可控开关 三相整流电路 传统的 功耗 通断 零电压零电流开关 电感 电路拓扑结构 零电流开关 零电压开关 电气布局 工作频率 控制电路 内部电路 内部线路 通断切换 拓扑结构 二极管 电容 软开关 母排 申请 紧凑 增设 改造
【权利要求书】:

1.一种T型整流电路,其特征在于,包括第一可控开关、第一二极管、第二二极管、第一电容、第二可控开关、第三二极管、第四二极管、第二电容、电感、第一整流二极管及第二整流二极管,其中:

所述第二可控开关的漏极或集电极作为T型整流电路的中间桥臂的第一端,所述第二可控开关的源极或发射极与所述第一可控开关的源极或发射极连接,所述第一可控开关的漏极或集电极作为所述中间桥臂的第二端;

所述中间桥臂的第一端分别与所述第一整流二极管的阳极和所述第二整流二极管的阴极连接,其公共端作为所述T型整流电路的输入端,所述中间桥臂的第二端与所述电感的第一端连接,所述电感的第二端接至中线;

所述第一二极管的阴极与所述第一整流二极管的阴极连接,其公共端接至正母线,所述第一二极管的阳极分别与所述第二二极管的阴极和所述第一电容的第一端连接,所述第二二极管的阳极与所述第一可控开关的漏极或集电极连接,所述第一电容的第二端与所述第一可控开关的源极或发射极或所述中间桥臂的第一端连接;

所述第四二极管的阳极与所述第二整流二极管的阳极连接,其公共端接至负母线,所述第四二极管的阴极分别与所述第三二极管的阳极和所述第二电容的第一端连接,所述第三二极管的阴极与所述第二可控开关的源极或发射极或所述中间桥臂的第二端连接,所述第二电容的第二端与所述第二可控开关的漏极或集电极连接;其中,所述第二二极管、第三二极管、第一电容及第二电容不同时接至所述中间桥臂的两端;

所述T型整流电路用于利用内部电路拓扑结构,使所述第一可控开关和所述第二可控开关均实现软开关。

2.如权利要求1所述的T型整流电路,其特征在于,所述第一电容的第二端与所述第一可控开关的源极或发射极连接,所述第三二极管的阴极与所述第二可控开关的源极或发射极连接。

3.如权利要求1所述的T型整流电路,其特征在于,所述第一电容的第二端与所述中间桥臂的第一端连接,所述第三二极管的阴极与所述第二可控开关的源极或发射极连接。

4.如权利要求1所述的T型整流电路,其特征在于,所述第一电容的第二端与所述第一可控开关的源极或发射极连接,所述第三二极管的阴极与所述中间桥臂的第二端连接。

5.如权利要求1-4任一项所述的T型整流电路,其特征在于,所述第一可控开关或所述第二可控开关具体为IGBT器件,所述IGBT器件包括IGBT管和与所述IGBT管反并联的续流二极管。

6.如权利要求1-4任一项所述的T型整流电路,其特征在于,所述第一可控开关或所述第二可控开关具体为MOS器件,所述MOS器件包括MOS管和与所述MOS管反并联的续流二极管,或所述MOS器件具体为带续流二极管的一体式MOS管。

7.如权利要求1-4任一项所述的T型整流电路,其特征在于,所述T型整流电路具体包括第一集成电路、第二集成电路、电感、第一整流二极管及第二整流二极管;其中,所述第一集成电路内集成有第一可控开关、第一二极管、第二二极管、第一电容,所述第二集成电路内集成有第二可控开关、第三二极管、第四二极管、第二电容。

8.一种三相整流电路,其特征在于,包括第一整流电路、第二整流电路及第三整流电路,其中:

所述第一整流电路、所述第二整流电路及所述第三整流电路均采用如权利要求1-7任一项所述的T型整流电路,所述第一整流电路、所述第二整流电路及所述第三整流电路各自对应的正母线、负母线、中线分别对应接在一起。

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