[发明专利]一种芯片边缘结构及制作方法

权利要求书

1.一种芯片边缘结构，其特征在于，包括：

边缘主体结构层；

钝化层，沿预设方向设置在所述边缘主体结构层的表面，并且所述钝化层具有至少一个凹陷区；

有机膜层，沿所述预设方向设置在所述钝化层的表面，并且填充每个所述凹陷区。

2.根据权利要求1所述的芯片边缘结构，其特征在于，所述边缘主体结构层包括：

衬底；

外延层，沿所述预设方向设置在所述衬底的表面上；

掺杂结区，设置在所述外延层的表面区域中，并且从所述外延层的表面朝向所述衬底方向延伸；

层间电介质，沿所述预设方向设置在所述外延层的一部分表面上，并与所述掺杂结区接触；

顶部金属层，沿所述预设方向设置在所述掺杂结区的表面上，并与所述层间电介质接触，使得所述层间电介质的至少一部分沿所述预设方向夹置在所述掺杂结区与所述顶部金属层之间。

3.根据权利要求1或2所述的芯片边缘结构，其特征在于，每个所述凹陷区包括第一凹陷部与第二凹陷部，所述第一凹陷部与所述第二凹陷部连通，在垂直于所述预设方向的方向上，所述第二凹陷部的最大宽度大于所述第一凹陷部的最大宽度。

4.根据权利要求3所述的芯片边缘结构，其特征在于，所述第二凹陷部与所述层间电介质接触或延伸入所述层间电介质中。

5.根据权利要求3所述的芯片边缘结构，其特征在于，所述钝化层包括：

第一钝化层，沿所述预设方向设置在所述边缘主体结构层的表面上；

第二钝化层，沿所述预设方向设置在所述第一钝化层的表面上，其中，所述第二钝化层设有所述第一凹陷部，所述第一钝化层设有所述第二凹陷部。

6.根据权利要求2所述的芯片边缘结构，其特征在于，所述衬底包括以下任一项：碳化硅衬底、硅衬底以及氮化镓衬底。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片边缘结构，其特征在于，所述有机膜层包括聚酰亚胺层。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片边缘结构，其特征在于，每个所述凹陷区的平面图案包括一行或多行的条带状图案、虚线状图案或者点阵状图案。

9.一种制作芯片边缘结构的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供边缘主体结构层；

在所述边缘主体结构层的表面沉积钝化层；

图案化处理所述钝化层，以形成至少一个凹陷区；

在所述钝化层的表面形成有机膜层，使得所述有机膜层填充每个所述凹陷区。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述图案化处理所述钝化层，以形成至少一个凹陷区，包括：

采用干法蚀刻方式图案化处理所述钝化层，以形成至少一个凹陷区。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述边缘主体结构层包括衬底、外延层、掺杂结区、层间电介质及顶部金属层，所述外延层设置在所述衬底的表面上，所述掺杂结区设置在所述外延层的表面区域中，并且从所述外延层的表面朝向所述衬底方向延伸，所述层间电介质设置在所述外延层的一部分表面上并与所述掺杂结区接触，所述顶部金属层设置在所述掺杂结区的表面上，并与所述层间电介质接触，使得所述层间电介质的至少一部分夹置在所述掺杂结区与所述顶部金属层之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，每个所述凹陷区包括第一凹陷部与第二凹陷部，所述钝化层与所述层间电介质的材料不同；

其中，所述图案化处理所述钝化层，以形成至少一个凹陷区，包括：

采用干法蚀刻方式图案化处理所述钝化层，以形成所述第一凹陷部；

采用湿法蚀刻方式图案化处理所述层间电介质，以形成所述第二凹陷部。