[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一电极，位于衬底上；

第二电极，位于所述衬底上；

介电层结构，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及

结晶诱导层，位于所述介电层结构与所述第一电极之间，

其中，所述介电层结构包括：

第一介电层，包括第一介电材料，以及

第二介电层，位于所述第一介电层上，所述第二介电层包括第二介电材料，并且

其中，所述第一介电材料包括具有四方晶相的氧化铪。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一介电层位于所述结晶诱导层的表面上，

所述结晶诱导层和所述第一介电层彼此接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结晶诱导层包括功函数在量值上大于所述第一电极的功函数和所述第二电极的功函数的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结晶诱导层包括氮化铌。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电材料包括氧化锆、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化钇、氧化钪和镧系氧化物中的至少一种材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层的厚度等于或大于所述介电层结构的厚度的大约40％。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层具有等于或大于大约的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电层结构被构造为基于经历X-射线衍射分析而呈现出由所述第一介电层的四方晶体结构的{101}面产生的30.48°±0.2°处的辐射发射峰。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结晶诱导层进一步位于所述第二电极与所述介电层结构之间。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述第二介电层与所述结晶诱导层接触，并且

所述第二介电层的介电常数小于所述第一介电层的介电常数。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电层结构具有大约40至大约60的介电常数。

12.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一电极，位于衬底上；

第二电极，位于所述衬底上；以及

介电层结构，位于所述第一电极与所述第二电极之间，

其中，所述介电层结构包括：

第一介电层，与所述第一电极接触，所述第一介电层包括第一介电材料，以及

第二介电层，位于所述第一介电层上，所述第二介电层包括第二介电材料，并且

其中，所述第一电极包括铱、钼或氮化钼，并且所述第一介电层包括具有四方晶相的氧化锆。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述介电层结构具有大约40至大约55的介电常数。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二介电层包括氧化铪、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化钇、氧化钪和镧系氧化物中的至少一种。

15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二介电层位于所述第二电极的表面上，并与所述第二电极接触。

16.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，

所述第二电极包括铱、钼或氮化钼，并且

所述第二电极与所述第二介电层接触。