[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：

衬底，所述衬底中形成漂移区及两个体区，所述漂移区位于两个所述体区之间，所述体区中形成有源区，所述漂移区中形成有漏区；

栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上并且跨接所述体区及所述漂移区；

场极板，所述场极板覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底，所述场极板包括导电板、绝缘板及位于所述导电板及所述绝缘板之间的中间板，所述绝缘板较所述导电板更靠近所述衬底，所述中间板包括若干个多晶硅材料层和绝缘材料层的复合结构层；

还包括第一介质层和第二介质层，所述第二介质层覆盖所述衬底、场极板及栅极结构以保护所述衬底、场极板及栅极结构，所述第一介质层覆盖所述第二介质层，所述第一介质层中形成有多个导电插塞，所述导电插塞用于将所述源区、漏区及场极板接出。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体区中还形成有基区，所述基区在所述衬底的延伸方向与所述源区相连。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括一导电接触层，所述导电接触层覆盖所述体区、所述漏区及所述栅极结构，所述导电接触层的材料与所述导电板的材料相同。

4.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述LDMOS器件的形成方法包括：

提供衬底，所述衬底中形成有漂移区及两个体区，所述漂移区位于两个所述体区之间，所述体区中形成有源区，所述漂移区中形成有漏区；

在所述衬底上形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构；

在所述衬底上形成场极板，所述场极板覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底，所述场极板包括导电板、绝缘板及位于所述导电板及所述绝缘板之间的中间板，所述绝缘板较所述导电板更靠近所述衬底，所述中间板包括若干个多晶硅材料层和绝缘材料层的复合结构层；

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述衬底、场极板及栅极结构以保护所述衬底、场极板及栅极结构；

形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第二介质层，所述第一介质层中形成有多个导电插塞，所述导电插塞用于将所述源区、漏区及场极板接出。

5.如权利要求4所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构的步骤包括：

在所述衬底上形成栅电极材料层；

刻蚀所述栅电极材料层以形成栅电极，所述栅电极跨接所述体区及所述漂移区；

在所述栅电极的侧壁形成侧墙，所述栅电极及所述侧墙构成所述栅极结构。

6.如权利要求4所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成所述场极板的步骤包括：

形成覆盖所述衬底及所述栅极结构的层叠体，所述层叠体包括依次重叠的绝缘板材料层、中间板材料层及多晶硅材料层，所述绝缘板材料层较所述多晶硅材料层靠近所述衬底；

刻蚀所述层叠体以形成图形化的层叠体，所述图形化的层叠体覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底；

在所述图形化的层叠体上形成金属层；

对所述金属层进行退火处理，使所述多晶硅材料层与所述金属层反应以形成导电板材料层；

去除所述导电板材料层上剩余的金属层，所述导电板材料层构成所述导电板，所述中间板材料层构成所述中间板，所述绝缘板材料层构成所述绝缘板。

7.如权利要求6所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述图形化的层叠体上形成所述金属层的同时，还在所述体区、漏区及栅极结构上形成所述金属层，通过退火处理后，所述体区、漏区及栅极结构上形成了导电接触层，所述导电接触层的材料与所述导电板的材料相同。

8.如权利要求6所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钛、钴或者钼中的一种或多种。

9.如权利要求4所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成多个所述导电插塞的步骤包括：

刻蚀所述第一介质层，形成对应所述源区、漏区及场极板的多个沟槽；

在每个所述沟槽中填充导电材料，形成所述导电插塞，使所述导电插塞将所述源区、漏区及场极板接出。