[发明专利]硅块清洗方法和应用

权利要求书

1.一种硅块清洗方法，其特征在于，包括依次进行的酸洗、漂洗、冷浸泡和热浸泡；

其中，酸洗所用的酸液包括硝酸和氢氟酸，所述酸洗依次在硝酸比例梯度增加的三种酸液中进行；

第一次酸洗所用的酸液为硝酸：氢氟酸＝10-11:1v/v，第一次酸洗的温度为32-35℃，第一次酸洗的时间为4-6min；

第二次酸洗用的酸液为硝酸：氢氟酸＝14-16v/v，第二次酸洗的温度为35-38℃，第二次酸洗的时间为4-6min；

第三次酸洗用的酸液为硝酸：氢氟酸＝28-32v/v，第三次酸洗的温度为30-33℃，第三次酸洗的时间为4-6min；

所述硝酸是质量分数为62-78％的硝酸水溶液；

所述氢氟酸是质量分数为45-55％的氢氟酸水溶液。

2.根据权利要求1所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述硝酸是质量分数为69-72％的硝酸水溶液。

3.根据权利要求2所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸是质量分数为48.8-49.2％的氢氟酸水溶液。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的硅块清洗方法，其特征在于，第一次酸洗所用的酸液为硝酸：氢氟酸＝10:1v/v。

5.根据权利要求4所述的硅块清洗方法，其特征在于，第二次酸洗用的酸液为硝酸：氢氟酸＝15:1v/v。

6.根据权利要求5所述的硅块清洗方法，其特征在于，第二次酸洗的时间为5min。

7.根据权利要求4所述的硅块清洗方法，其特征在于，第三次酸洗用的酸液为硝酸：氢氟酸＝30:1v/v。

8.根据权利要求4所述的硅块清洗方法，其特征在于，第三次酸洗的时间为5min。

9.根据权利要求1所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述漂洗是利用超纯水进行溢流漂洗。

10.根据权利要求9所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述漂洗的温度为22-25℃。

11.根据权利要求9所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述漂洗的时间为4-6min。

12.根据权利要求11所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述漂洗的时间为5min。

13.根据权利要求1所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述冷浸泡的温度为22-25℃；

和/或，所述冷浸泡的时间为3-5h。

14.根据权利要求1所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述冷浸泡的时间为4h。

15.根据权利要求1所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述热浸泡的温度为56-60℃；

和/或，所述热浸泡的时间为2-3h。

16.根据权利要求15所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述热浸泡的时间为2.5h。

17.根据权利要求15所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述热浸泡为超声热浸泡。

18.根据权利要求17所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述超声的频率为20-25kHz。

19.根据权利要求18所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述超声的频率为23kHz。

20.根据权利要求1所述的硅块清洗方法，其特征在于，所述热浸泡后还进行了干燥。