[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法，从而将中介片和第一半导体器件放置在载体衬底上并且被密封。中介片包括第一部分和远离第一部分延伸的导电柱。位于密封剂的第一侧上的再分布层将导电柱电连接至第一半导体器件。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。在很大程度上，这种集成度的改进来自于最小特征尺寸的连续减小(例如，朝着亚20nm节点缩小半导体工艺节点)，这允许更多的组件集成到给定的区域。随着最近对小型化、更高的速度和更大的带宽以及更低的功耗和延迟的需求增长，对半导体管芯的更小和更具创造性的封装技术的需求也增长。

随着半导体技术进一步发展，堆叠和接合的半导体器件作为有效可选方式出现以进一步减小半导体器件的物理尺寸。在堆叠的半导体器件中，各有源电路(诸如逻辑、存储器、处理器电路等)至少部分地在不同的衬底上制造，并且之后将这些有源电路物理和电接合在一起以形成功能器件。这种接合工艺利用复杂的技术，并且期望改进。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将粘合层放置在载体上方；将第一半导体器件放置在所述载体上，所述第一半导体器件具有第一厚度；将第一衬底放置在所述载体上，所述第一衬底具有小于所述第一厚度的第二厚度，其中，导电柱与所述第一衬底物理接触；以及将密封剂与所述第一衬底、所述导电柱和所述第一半导体器件的每个均物理接触。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成具有导电布线的中介片；将导电柱镀至所述中介片上并且与所述导电布线电连接；去除所述中介片的部分以形成环件；将所述环件放置在第一载体衬底上；将第一半导体器件放置在所述第一载体衬底上，其中，在放置所述环件并且放置所述第一半导体器件之后，自顶向下看，所述环件围绕所述第一半导体器件；用密封剂填充所述第一半导体器件和所述环件之间的间隔，其中，在填充所述间隔之后，所述密封剂覆盖所述导电柱的侧壁；在所述密封剂的第一侧上方形成再分布层，其中，所述再分布层与所述导电柱和所述第一半导体器件的外部连接件物理接触；以及将第一封装件附接至所述密封剂的与所述第一侧相对的第二侧。

根据本发明的又一方面，提供了一种半导体器件，包括：半导体器件，嵌入在密封剂内；中介片，嵌入在所述密封剂内，其中，所述中介片具有第一部分和远离所述第一部分延伸的导电柱，所述导电柱具有倒锥形形状，所述第一部分具有小于所述半导体器件的第二厚度的第一厚度，所述中介片围绕所述半导体器件；再分布层，位于所述密封剂的第一侧上方，所述再分布层将所述导电柱电连接至所述半导体器件；以及第一封装件，位于所述密封剂中与所述再分布层相对的侧上，所述第一封装件通过所述中介片的第一部分和所述导电柱连接至所述半导体器件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的载体上的粘合层和管芯附接膜的放置。

图2示出了根据一些实施例的第一半导体器件。

图3A至图3E示出了根据一些实施例的环件的形成。

图4示出了根据一些实施例的第一半导体器件和环件在载体上的放置。

图5示出了根据一些实施例的半导体器件和环件的密封。

图6示出了根据一些实施例的密封剂的平坦化。

图7示出了根据一些实施例的再分布层的形成。

图8示出了根据一些实施例的外部连接件的形成。