[发明专利]基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线

权利要求书

1.一种基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线，其特征在于：包括辐射单元(1)、同轴馈线(2)、和基于双极化Van Atta阵列改进的2×2双极化方阵，所述2×2双极化方阵包括上下层叠的第一介质基板(3)和第二介质基板(4)，其中：

所述第一介质基板(3)上表面印制有2×2个金属贴片(5)，所述四个金属贴片形成的正方形区域的边长为K：0.5×λ₀≤K≤0.9×λ₀，其中λ₀为中心工作频率对应的波长；辐射单元(1)印制在四个金属贴片(5)形成的正方形区域内，所述第一介质基板(3)的下表面印制有蚀刻2×2组缝隙的金属地板(6)，每组缝隙由两个相互正交的H型或矩形缝隙(7)组成；

所述第二介质基板(4)的下表面印制有2×2组微带馈线，每组微带馈线由两个相互正交的T型或矩形微带馈线(8)组成，其中位于一条对角线上一组微带馈线中的两个各与另一组微带馈线中的两个通过第一微带连接线(9)连接，位于另一条对角线上一组微带馈线中的两个各与另一组微带馈线中的两个通过第二微带连接线(10)连接，且相连接的两个微带馈线相互垂直；所述第一微带连接线(9)的电长度与第二微带连接线(10)相等；

所述2×2个金属贴片(5)与2×2组缝隙，以及2×2组微带馈线的位置相应；所述同轴馈线(2)的内芯与辐射单元(1)相连，外芯与金属地板(6)相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线，其特征在于：所述辐射单元(1)的形状为圆形，其圆心位于第一介质基板(3)上表面的中心法线上，辐射单元(1)的直径为d：0.5×λ_ε≤d≤0.6×λ_ε，其中λ_ε为中心工作频率对应的介质波长。

3.根据权利要求1所述的一种基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线，其特征在于：所述金属贴片(5)，采用长度为L_p、宽度为W_p的矩形贴片，0.35×λ_ε≤L_p≤0.5×λ_ε，0.35×λ_ε≤W_p≤0.5×λ_ε，其中λ_ε为中心工作频率对应的介质波长。

4.根据权利要求1所述的一种基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线，其特征在于：所述2×2组微带馈线，其中位于一条对角线上一组微带馈线中的两个各与另一组微带馈线中的两个连接的第一微带连接线(9)，关于该条对角线对称，位于另一条对角线上一组微带馈线中的两个各与另一组微带馈线中的两个连接的第二微带连接线(10)，关于该另一条对角线对称。