[发明专利]Micro-LED巨量转移方法及Micro-LED基板

权利要求书

1.一种Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，包括：

提供转移板，所述转移板包括：衬底以及位于所述衬底上的绝缘膜层和多个第一金属焊盘，所述绝缘膜层上具有多个用于装载Micro-LED晶粒的凹槽，所述第一金属焊盘位于所述凹槽内；

提供多个Micro-LED晶粒，所述Micro-LED晶粒的背部具有第二金属焊盘，所述Micro-LED晶粒的背部为与所述Micro-LED晶粒的发光侧相背的一侧；

在所述转移板的第一金属焊盘上或所述Micro-LED晶粒的第二金属焊盘上形成焊料；

将所述转移板和所述Micro-LED晶粒置于一盛有溶剂的腔室内，并振动所述腔室，使所述Micro-LED晶粒在振动作用下，落入所述转移板的所述凹槽内，落入所述凹槽内的所述Micro-LED晶粒上的第二金属焊盘与所述凹槽内的第一金属焊盘通过所述焊料接触，其中，所述腔室内的温度高于所述焊料的熔点；

对所述转移板进行降温，使所述焊料固化，形成Micro-LED基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述转移板进行降温的步骤包括：

去除所述腔室内的所述溶剂，对所述腔室进行降温；或者，将所述转移板从所述腔室内取出，对所述转移板进行降温。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂为有机溶剂。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂的密度低于预设密度阈值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述转移板的第一金属焊盘上或所述Micro-LED晶粒的第二金属焊盘上形成焊料的步骤包括：

将所述转移板或所述Micro-LED晶粒置于液态焊料中，在所述转移板的第一金属焊盘上或所述Micro-LED晶粒的第二金属焊盘上形成所述焊料。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述焊料为共晶焊料。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述腔室下方设有电磁铁基台；所述振动所述腔室的步骤包括：

将所述电磁铁基台的对应所述转移板的指定区域的电磁铁通电，并控制所述电磁铁基台振动，以带动所述腔室振动，使所述Micro-LED晶粒在振动和电磁力作用下，落入所述指定区域对应的所述凹槽内。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多个Micro-LED晶粒中包括N种类型的Micro-LED晶粒，其中，不同类型的所述Micro-LED晶粒发射的光线的颜色不同，N为大于或等于2的正整数；

所述将所述转移板和所述Micro-LED晶粒置于一腔室内，并振动所述腔室的步骤包括：

将所述转移板置于所述腔室内；

依次针对所述N种类型中的每一种类型的Micro-LED晶粒，执行以下操作：

将一种类型的所述Micro-LED晶粒投入所述腔室内，其中，投入所述腔室内的Micro-LED晶粒与所述转移板上的指定区域的凹槽对应；

将所述电磁铁基台的对应所述指定区域的电磁铁通电，并控制所述电磁铁基台振动，以带动所述腔室振动，使投入所述腔室内的Micro-LED晶粒在振动和电磁力作用下，落入所述指定区域对应的所述凹槽内。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

不同类型的所述Micro-LED晶粒的形状不同；

所述凹槽包括N种形状的凹槽，与所述N种类型的Micro-LED晶粒的形状一一对应。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，每一种形状的所述凹槽仅能够与对应类型的所述Micro-LED晶粒适配。