[发明专利]形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管

说明书

本公开的实施例涉及形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管。一种形成包括栅极电极的晶体管的方法，包括：在半导体衬底(100)之上形成牺牲层(140)，在牺牲层(140)之上形成图案层(150)，将图案层(150)图案化为经图案化的结构，形成与经图案化的结构的侧壁相邻的间隔物(160)，去除经图案化的结构，使用间隔物(160)作为蚀刻掩模蚀刻穿过牺牲层(140)并蚀刻到半导体衬底(100)中，从而在半导体衬底(100)中形成沟槽，将导电材料(210)填充到半导体衬底(100)中的沟槽中以形成栅极电极。

相关申请引用

本申请是申请号为201510634787.1、申请日为2015年9月29日、发明名称为“形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及一种形成晶体管的方法，一种衬底图案化的方法以及晶体管。

背景技术

半导体器件(特别地，功率半导体器件如场效应晶体管(FET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT))广泛应用于各领域应用例如汽车和工业应用。人们一直在尝试提高半导体器件的性能。例如，尝试通过减小作为IGBT中相邻栅极沟槽的主体区域或台面的宽度来提高IGBT的性能。相应地，需要提供一种方法，通过该方法台面结构可以限定为均匀模式，台面结构具有小宽度。

发明内容

本发明的目的是提供一种制造半导体器件的改进方法。进一步地，本发明的目的是提供所述半导体器件。

根据本发明，上述目的是通过独立权利要求所要求保护的主题实现的。从属权利要求限定了进一步实施例。

附图说明

附图用于进一步理解本发明的实施例，附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施例并与描述一起阐述原理。通过较好地理解下面的详细描述，很容易构想到本发明的其他实施例和许多优点。附图中的元件不需要按比例绘制。相同附图标记指定相应的类似部分。

图1A至图1F示出了执行根据一个实施例的方法时半导体衬底的横截面视图的示例。

图1G概括了根据一个实施例的方法。

图2A至图2L示出了执行根据一个实施例的方法时半导体衬底的横截面视图的示例。

图3A至图3D示出了加工过程中半导体器件的横截面视图的进一步示例。

图3E示出了根据一个实施例的半导体器件的横截面视图。

图3F概括了根据另外的实施例的方法。

图4A至图4E示出了执行根据另外的实施例的方法时半导体衬底的横截面视图的示例。

图4F概括了根据另外的实施例的方法。

具体实施方式

在下面的详细描述中，将参考附图进行描述，附图构成描述的一部分并示出了能够实践本发明的特定实施例。在这一方面，方向术语“顶部”、“底部”、“前部”、“背部”、“首部”、“尾部”等用于指示所述附图的方位。由于本发明的实施例的组件可以布置在一些不同的方位，方向术语仅用于说明目的而非进行限制。应该理解的是，可以利用其他实施例，也可以在不偏离权利要求限定的范围的情况下进行结构和逻辑修改。

对实施例的描述并非对本发明的限制。特别地，下文描述的实施例的元件可以与不同实施例的元件组合在一起。