[发明专利]一种仿太阳光谱LED光源在审
申请号: | 201810939992.2 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109103175A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 谢锡龙 | 申请(专利权)人: | 广州市巨宏光电有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/50 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 贺红星;高玉光 |
地址: | 511400 广东省广州市番禺区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光波波长 芯片 太阳光谱 荧光粉 基板 封装LED芯片 红外发射管 可见光 不可见光 基板电性 生物性能 太阳光 波长 封装 涵盖 | ||
1.一种仿太阳光谱LED光源,包括基板、封装于所述基板并与所述基板电性连接的LED芯片、用于封装所述LED芯片的荧光粉;其特征在于:
所述LED芯片包括:光波波长为445-455nm的第一芯片、光波波长为360-413nm的第二芯片、光波波长为430-440nm的第三芯片、光波波长为458-465nm的第四芯片、光波波长为469-480nm的第五芯片、光波波长为490-500nm的第六芯片、光波波长为417-425nm的第七芯片、光波波长为710-940nm的红外发射管。
2.如权利要求1所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述第一芯片发光强度(LM)为(13±1.3)n、所述第二芯片发光强度(LM)为(14±1.4)n、所述第三芯片发光强度(LM)为(10±1)n、所述第四芯片发光强度(LM)为(25±2.5)n、所述第五芯片发光强度(LM)为(34±3.4)n、所述第六芯片发光强度(LM)为(55±5.5)n、所述第七芯片发光强度(LM)为(14±1.4)n;其中,n>0。
3.如权利要求2所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述第一芯片为6个、所述第二芯片为2个、所述第三芯片为4个、所述第四芯片为6个、所述第五芯片为4个、所述第六芯片为2个、所述第七芯片为3个、所述红外发射管为3个。
4.如权利要求2所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:3个所述红外发射管中包含2个光波波长为710-750nm的红外发射管以及1个光波波长为800-850nm的红外发射管。
5.如权利要求3所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:每任意10个所述LED芯片依次串联以形成3组相互独立的LED芯片组,3组所述LED芯片组相互并联。
6.如权利要求5所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:各所述LED芯片组中的所述LED芯片,以及各所述LED芯片组之间的所述LED芯片的安装位置可任意调换。
7.如权利要求1~6中任一项所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述基板内开设有用于容置所述LED芯片的容纳槽。
8.如权利要求1~6中任一项所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述荧光粉由下述组分组成:
发射波长为620-680的红粉 10-30%
发射波长为510-550的绿粉 70-90%。
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