[发明专利]一种仿太阳光谱LED光源在审

专利信息
申请号: 201810939992.2 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN109103175A 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 谢锡龙 申请(专利权)人: 广州市巨宏光电有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/50
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 贺红星;高玉光
地址: 511400 广东省广州市番禺区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光波波长 芯片 太阳光谱 荧光粉 基板 封装LED芯片 红外发射管 可见光 不可见光 基板电性 生物性能 太阳光 波长 封装 涵盖
【权利要求书】:

1.一种仿太阳光谱LED光源,包括基板、封装于所述基板并与所述基板电性连接的LED芯片、用于封装所述LED芯片的荧光粉;其特征在于:

所述LED芯片包括:光波波长为445-455nm的第一芯片、光波波长为360-413nm的第二芯片、光波波长为430-440nm的第三芯片、光波波长为458-465nm的第四芯片、光波波长为469-480nm的第五芯片、光波波长为490-500nm的第六芯片、光波波长为417-425nm的第七芯片、光波波长为710-940nm的红外发射管。

2.如权利要求1所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述第一芯片发光强度(LM)为(13±1.3)n、所述第二芯片发光强度(LM)为(14±1.4)n、所述第三芯片发光强度(LM)为(10±1)n、所述第四芯片发光强度(LM)为(25±2.5)n、所述第五芯片发光强度(LM)为(34±3.4)n、所述第六芯片发光强度(LM)为(55±5.5)n、所述第七芯片发光强度(LM)为(14±1.4)n;其中,n>0。

3.如权利要求2所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述第一芯片为6个、所述第二芯片为2个、所述第三芯片为4个、所述第四芯片为6个、所述第五芯片为4个、所述第六芯片为2个、所述第七芯片为3个、所述红外发射管为3个。

4.如权利要求2所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:3个所述红外发射管中包含2个光波波长为710-750nm的红外发射管以及1个光波波长为800-850nm的红外发射管。

5.如权利要求3所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:每任意10个所述LED芯片依次串联以形成3组相互独立的LED芯片组,3组所述LED芯片组相互并联。

6.如权利要求5所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:各所述LED芯片组中的所述LED芯片,以及各所述LED芯片组之间的所述LED芯片的安装位置可任意调换。

7.如权利要求1~6中任一项所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述基板内开设有用于容置所述LED芯片的容纳槽。

8.如权利要求1~6中任一项所述的仿太阳光谱LED光源,其特征在于:所述荧光粉由下述组分组成:

发射波长为620-680的红粉 10-30%

发射波长为510-550的绿粉 70-90%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市巨宏光电有限公司,未经广州市巨宏光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810939992.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top