[发明专利]高分子基导电复合材料及过流保护元件在审
申请号: | 201810940846.1 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109243667A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 方勇;刘利锋;夏坤;高道华;刘玉堂;张伟;吴国臣 | 申请(专利权)人: | 上海长园维安电子线路保护有限公司 |
主分类号: | H01B1/20 | 分类号: | H01B1/20;H01C7/02 |
代理公司: | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人: | 衣然 |
地址: | 201202 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电复合材料 高分子基 导电填料 过电流保护元件 高分子基材 芯材 金属电极箔 体积分数 制备 三明治 过流保护元件 环境可靠性 自润滑特性 导电性能 加工生产 加工特性 耐候性能 复合材料 电阻 绝缘 | ||
1.一种高分子基导电复合材料,其特征在于,其包含:
高分子基材,占所述高分子基导电复合材料的体积分数的20%~75%;
第一导电填料,为一种固溶体,占所述导电复合材料的体积分数的10%~80%,其粒径为0.1μm~10μm,且体积电阻率不大于200μΩ·cm,所述导电填料分散于所述的高分子基材之中;所述的固溶体为金属硼化物、金属氮化物、金属碳化物或金属硅化物中的一种或两种以上的组合物;
第二导电填料,为具有层状结构的导电填料,其粒径为0.1μm~20μm,且粒径分布范围为0.01μm~100μm,体积电阻率小于1×10-3Ω·cm,占所述高分子基导电复合材料的体积分数的2%~50%,分散于所述高分子基材中;所述具有层状结构的导电填料分子式为:Mn+1AXn,其中,
M元素为过渡金属元素Sc、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta之中的一种;
A元素为IIIA族、IVA族、VA族或VIA族元素Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Tl、Pb之中的一种;
X元素为碳或氮元素;1≤n≤3且为整数。
2.根据权利要求1所述的高分子基导电复合材料,其特征在于,所述高分子基材为:聚乙烯、氯化聚乙烯、氧化聚乙烯、聚氯乙烯、丁二烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚甲醛、酚醛树脂、聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚三氟乙烯、聚氟乙烯、马来酸酐接枝聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、环氧树脂、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-丙烯酸共聚物中的一种或两种以上的混合物。
3.根据权利要求1所述的高分子基导电复合材料,其特征在于,所述金属硼化物为硼化钽、二硼化钽、硼化钒、二硼化钒、二硼化锆、二硼化钛、硼化铌、二硼化铌、硼化二钼、五硼化二钼、二硼化铪、硼化二钨、硼化钨、硼化二铬、硼化铬、二硼化铬或三硼化五铬之中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的高分子基导电复合材料,其特征在于,所述金属氮化物为氮化钽、氮化钒、氮化锆、氮化钛、氮化铌或氮化铪中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的高分子基导电复合材料,所述碳化物为碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钛、碳化铌、碳化二钼、碳化铪、碳化钨、碳化二钨或二碳化三铬之中的一种。
6.根据权利要求1所述的高分子基导电复合材料,其特征在于,所述金属硅化物为二硅化钽、三硅化五钽、硅化三钒、二硅化钒、二硅化锆、二硅化钛、三硅化五钛、二硅化铌、二硅化钼、二硅化铪、二硅化钨、硅化三铬或二硅化铬之中的至少一种。
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