[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 201810941699.X 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN110277408A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 山下徹也 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导体 接触件 衬底 半导体装置 第一层 导体绝缘 延伸穿过 平行 延伸 观察 制造
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其包括:

衬底,其包含核心区,和围绕所述核心区的外周边的周边区域;

第一导体,其在所述衬底的所述核心区中位于所述衬底上方的第一层中;

第一接触件,其在所述第一导体上,所述第一接触件在与所述衬底的表面相交的第一方向上延伸;

第二导体,其在所述衬底的所述周边区域中位于所述第一层中且与所述第一导体绝缘;

第三导体,其在所述第二导体与所述衬底之间;及

第二接触件,其在所述第三导体上,所述第二接触件在所述第一方向上延伸穿过所述第二导体,其中

如在平行于所述衬底的所述表面的第二方向上观察,所述第二接触件的宽度在包含于所述第一层中并平行于所述衬底的所述表面的边界面上方的部分与低于所述边界面的部分之间是不同的。

2.根据权利要求1中所述的半导体装置,其中如在所述第二方向上观察的所述第二接触件的所述宽度在所述边界面上方的部分与所述边界面下方的部分之间以非循序方式改变。

3.根据权利要求1中所述的半导体装置,其中所述第二导体、所述第三导体和所述第二接触件中的每一者围绕所述核心区。

4.根据权利要求3中所述的半导体装置,其中沿着平行于所述衬底的所述表面的面取得的所述第二接触件的横截面具有环形形状。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第二接触件包含:

第四导体,其在所述第一方向上延伸穿过第一部分和第二部分,所述第一部分经定位比所述边界面距所述衬底更远,且所述第二部分经定位比所述边界面更靠近所述衬底;

第一绝缘膜,其在所述第一部分中的所述第四导体的侧面上;及

第二绝缘膜,其在所述第二部分中的所述第四导体的侧面上,所述第二绝缘膜与所述第一绝缘膜分离。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中

平行于所述衬底的所述表面的所述边界面处的所述第一部分的横截面具有在所述第二方向上观察的第一宽度,且

所述边界面处的所述第二部分的横截面具有在所述第二方向上观察的第二宽度,

所述第一宽度大于所述第二宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第四导体在所述边界面处电耦合到所述第二导体,且在所述第二接触件的底部部分处电耦合到所述第三导体。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其进一步包括:

第三绝缘膜,其在所述第二导体与所述第三导体之间,所述第三绝缘膜由所述第二接触件穿透并接触所述第四导体,

其中所述第四导体与所述第二导体电绝缘,且在所述第二接触件的底部部分处电耦合到所述第三导体。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括:

多个第五导体,其在所述第一导体上方堆叠,其中绝缘体经插置在所述第五导体之间;及

存储器柱,其在所述第一方向上穿透所述第一导体及所述多个第五导体,其中与所述多个第五导体中的一者相交的所述存储器柱的部分用作存储器胞元。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中具备经定位比所述边界面距所述衬底更远的所述第二接触件的部分的层包含包括经堆叠的所述多个第五导体的层。

11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一导体和所述第二导体中的每一者包含硅。

12.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:

所述衬底包含N型阱区和P型阱区;且

所述第三导体经电耦合到所述N型阱区或所述P型阱区。

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