[发明专利]基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法有效

专利信息
申请号: 201810942252.4 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN109190210B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 黄洪钟;曾颖;黄土地;黄承赓;李彦锋;郭骏宇;余奥迪 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 陈选中;何凡
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 saber 平台 建模 仿真 电路 性能 可靠性分析 方法
【权利要求书】:

1.一种基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、以待分析的电路系统为对象,分别对各电子元器件进行行为级建模,得到电子元器件模型,并完成各电子元器件标称状态下的功能仿真验证;

S2、以待分析的电路系统为对象,搭建目标电路系统,对其进行标称状态下的电路系统级仿真验证,得到标称状态下的仿真结果;

S3、判断标称状态下的仿真结果是否符合制定要求,若是则进入步骤S4,否则返回步骤S1;

S4、采集得到各电子元器件的性能退化参数;

S5、将性能退化参数注入电子元器件模型,得到带有退化仿真功能的元器件;

S6、对带有退化仿真功能的元器件进行参数扫描分析,得到带有退化仿真功能元器件的仿真结果;

S7、当带有退化仿真功能元器件的仿真结果与建模目标一致,进入步骤S8,否则返回步骤S5;

S8、重新建立电路网表,对电路系统进行参数扫描分析,得到退化情况下的仿真结果;

S9、结合标称状态下的仿真结果和退化情况下的仿真结果得到原始电路设计上的薄弱环节和关键元器件可靠性分析结论;

所述步骤S4中的性能退化包括:环境温度影响下的性能退化、贮存时间影响下的性能退化和核辐射性影响下的性能退化;

所述步骤S6和步骤S8中扫描分析的参数包括:环境温度、贮存时间和辐射强度;对于环境温度影响下的性能退化扫描分析环境温度;对于贮存时间影响下的性能退化扫描分析贮存时间;对于核辐射影响下的性能退化扫描辐射强度。

2.根据权利要求1所述的基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括以下步骤:

S11、以待分析的电路系统为对象,分别对各电子元器件进行行为级建模,得到电子元器件模型,所述行为级建模方法包括:参量化建模方法、Saber工具建模方法、宏模型建模方法和Mast语言描述建模方法;

S12、对电子元器件进行标称状态下的仿真分析,所述仿真分析包括瞬态分析,当仿真分析结果达到相关功能要求,进入步骤S2,否则返回步骤S11。

3.根据权利要求2所述的基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法,其特征在于,所述步骤S5中性能退化参数注入电子元器件模型的注入方法包括参数属性注入和Mast语言代码注入;对于Mast语言描述建模方法建模的电子元器件采用Mast语言代码注入退化参数;对于参量化建模方法、Saber工具建模方法和宏模型建模方法建模的电子元器件采用参数属性注入退化参数。

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