[发明专利]一种9腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺

权利要求书

1.一种9腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺，其特征在于：采用卧式结构的本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、卧式结构掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体，以及三个卧式结构的TCO薄膜沉积PVD腔体，将上述薄膜沉积腔体集成，各腔体之间采用真空锁结构连接，各个腔体在硅片未进入前均由其外接真空系统保持真空状态，将需进行镀膜的硅片固定到水平放置的载板上；上料腔体破真空，打开进料端真空锁，载板由移动装置送入上料腔体中，然后关闭真空锁抽真空，打开上料腔体和加热腔体间的真空锁，载板送入热加热腔体并关闭真空锁抽真空进行预加热，预加热可由腔体内或外接加热系统完成，达到预定的真空度和温度后，打开预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体之间的真空锁；将载板送入本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体中关闭真空锁；在本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体中进行本征非晶硅薄膜层的沉积，沉积结束后抽除残余反应气体，达到所需真空度后打开本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体之间的真空锁，将载板送入到掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体中关闭真空锁；在掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体中进行掺杂非晶硅薄膜层的沉积，沉积结束后抽除残余反应气体，达到所需真空度后打开该腔室后的真空锁，将载板送入到过渡腔体中，通过在过渡腔体内抽真空过渡、加热过渡、冷却过渡调整载板温度起到了TCO沉积前的预加热以及调节HWCVD部分和TCO沉积部分的作用，再打开其后真空锁送入第一TCO薄膜沉积PVD腔体中关闭真空锁，第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体之间的真空锁在正常工作情况下保持打开状态，溅射靶安装在第二TCO薄膜沉积PVD腔体中，载板匀速的依次通三个腔体，完成TCO的镀膜过程；然后打开第三TCO薄膜沉积PVD腔体后的真空锁，载板被送入下料腔体后关闭真空锁；在下料腔体中用氮气或洁净空气破真空，然后打开下料腔体出料端的真空锁，将载板移出；关闭真空锁，对下料腔体抽真空，完成非晶硅/晶体硅异质结太阳电池用硅片的一个表面的本征非晶硅、重掺杂非晶硅和TCO的镀膜工作。