[发明专利]一种反射式PETE太阳能光电转换方法及其转换装置有效
申请号: | 201810943033.8 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109065645B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 戴文韬;沈晓明;吴婕;郑冰欣;赖彦洁 | 申请(专利权)人: | 广西大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广西南宁公平知识产权代理有限公司 45104 | 代理人: | 韦锦捷 |
地址: | 530004 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反射 pete 太阳能 光电 转换 方法 及其 装置 | ||
1.一种反射式PETE太阳能光电转换装置,其特征在于:包括筒体(1)、石英玻璃(2)、密封圈(3)、金属箔阳极(4)、InN纳米线阴极(5)、铜导线(6)和针阀(7);所述筒体(1)内设有真空腔(11),筒体(1)侧面设有两个与真空腔(11)相连通的铜导线孔(12)以及一个与真空腔(11)相连通的内螺纹孔(13),所述内螺纹孔(13)与自带外螺纹的针阀(7)螺纹连接;所述金属箔阳极(4)紧贴真空腔(11)内侧,所述InN纳米线阴极(5)设于真空腔(11)底部;所述铜导线(6)有两根,一根铜导线(6)与金属箔阳极(4)连接并通过铜导线孔(12)引出真空腔(11)外,另一根铜导线(6)与InN纳米线阴极(5)连接并通过另一个铜导线孔(12)引出真空腔(11)外;所述石英玻璃(2)通过密封圈(3)与真空腔(11)连接。
2.根据权利要求1所述的反射式PETE太阳能光电转换装置,其特征在于:还包括筒盖(8),所述筒盖(8)沿圆周设有若干个螺纹通孔(81),筒盖(8)中间设有与真空腔(11)相匹配的通孔(82);所述筒体(1)对应设有与螺纹通孔(81)相配合的螺孔(14),所述筒盖(8)通过螺丝(9)与筒体(1)螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的反射式PETE太阳能光电转换装置,其特征在于:所述铜导线(6)引出真空腔(11)外后,铜导线孔(12)通过树脂胶进行密封。
4.根据权利要求1所述的太阳能光电转换装置,其特征在于:所述针阀(7)与外部的抽真空装置密封连接,经抽真空处理使真空腔(11)的真空度≤1×10-7Pa。
5.根据权利要求1所述的太阳能光电转换装置,其特征在于:所述密封圈(3)为O型密封圈。
6.根据权利要求1所述的太阳能光电转换装置,其特征在于:所述InN纳米线阴极(5)通过利用激光分子束外延法将InN纳米线沉积在硅衬底上制得。
7.根据权利要求6所述的太阳能光电转换装置,其特征在于:所述InN纳米线阴极(5)的制备方法包括以下步骤:先用丙醇、乙醇对硅衬底进行超声清洗,清洗后将硅衬底片放入激光分子束外延设备的进样室,当进样室与溅射室的压力显示相同的数量级时,再把样品利用传感器推送至溅射腔体内,并调节靶材与衬底距离为3~6cm,按要求开启机械泵,当真空计低于20Pa时打开分子泵,将溅射腔体内的真空抽到1×10-5~1×10-6Pa量级后,再将硅衬底升温至450~500℃,通入N2作为工作气体,保持室中N2气分压为0.1~0.3Pa;靶材选用InN靶,利用激光分子束外延设备中的KrF激光器发出高能量激光通过反射、聚焦镜穿过石英窗口到达InN靶材表面,聚焦后的激光束能量使InN靶材薄区瞬速熔化、蒸发和汽化,在其表面形成InN等离子羽辉,InN等离子羽辉垂直于硅衬底方向扩散并沉积于硅衬底上,得到高密度、均一性好的InN纳米线阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的