[发明专利]像素界定层及其制备原料和制备方法、显示基板有效
申请号: | 201810943500.7 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109103221B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 李伟;夏晶晶;周斌;王东方;赵策;胡迎宾;宋威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 刘小鹤 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 及其 制备 原料 方法 显示 | ||
本发明提供了一种像素界定层及其制备原料和制备方法、显示基板,涉及显示技术领域。该像素界定层的制备原料包括以下质量百分比的组分:5%‑30%的疏液性成膜聚合物、0.5%‑1%的亲液性磁性纳米颗粒、0.5%‑2%的光引发剂、0.1%‑1%的反应单体、0.1%‑1%的添加剂以及余量的溶剂。通过以上配比组成的各组分的协同作用,能够形成自顶部至底部呈现疏液性至亲液性梯度变化的像素界定层,能够有效避免像素原料溶液在像素区域顶部铺展而污染相邻像素,还可使像素原料溶液在像素区域底部均匀铺展开,以形成厚度均匀的像素层。在制备过程中,亲液性磁性纳米颗粒可通过外部磁场诱导至界定层本体的下部,以赋予界定层本体下部亲液特性,有效简化了制备工艺。
技术领域
本发明涉及显示技术,特别涉及一种像素界定层及其制备原料和制备方法、显示基板。
背景技术
对于有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)、液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)等显示器件的制备,通常采用湿法成膜工艺,例如喷墨打印工艺,在由像素界定层界定的像素区域内打印有机溶液,经干燥后形成像素层。一方面,为了避免有机溶液在像素区域顶部铺展而污染相邻像素,期望像素界定层的上部区域呈疏液性;另一方面,为了使有机溶液在像素区域底部均匀铺展开,以形成厚度均匀的像素层,期望像素界定层的底部呈亲液性。
目前,为了获得上述的自顶部疏液性到顶部亲液性的像素界定层,在制备像素界定层时,分别采用亲液性原料制备下半部分,而采用疏液性原料制备上半部分,并且分别进行图案化以形成像素区域。
然而,上述制备方法增加了工艺复杂性。
发明内容
鉴于此,本发明提供一种像素界定层及其制备原料和制备方法、显示基板,可解决上述技术问题。具体而言,包括以下的技术方案:
一方面,提供了一种像素界定层的制备原料,所述制备原料包括以下质量百分比的组分:5%-30%的疏液性成膜聚合物、0.5%-1%的亲液性磁性纳米颗粒、0.5%-2%的光引发剂、0.1%-1%的反应单体、0.1%-1%的添加剂以及余量的溶剂。
在一种可能的实现方式中,所述添加剂选自阻聚剂、流平剂、消泡剂、稳定剂中的至少一种。
在一种可能的实现方式中,所述亲液性磁性纳米颗粒包括:磁性纳米颗粒、包覆于所述磁性纳米颗粒外部的偶联剂、接枝于所述有偶联剂表面的亲液性聚合物。
在一种可能的实现方式中,所述磁性纳米颗粒为四氧化三铁纳米颗粒;
所述偶联剂为二氧化硅;
所述亲液性聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯-乙二醇甲醚甲基丙烯酸酯。
另一方面,提供了一种像素界定层的制备方法,所述制备方法包括:提供衬底基板;
将上述的像素界定层的制备原料覆于衬底基板上,形成湿膜;
去除所述湿膜中的有机溶剂,同时通过外部磁场诱导所述湿膜内的亲液性磁性纳米颗粒向靠近所述衬底基板的一侧迁移,得到过渡膜层;
对所述过渡膜层进行图案化处理,得到所述像素界定层。
在一种可能的实现方式中,所述外部磁场为位于所述衬底基板下方的电磁铁。
在一种可能的实现方式中,通过调节以下操作条件的至少一种,来控制所述亲液性磁性纳米颗粒在所述像素界定层中的分布:
所述外部磁场的磁场强度、所述外部磁场的作用时间、所述亲液性磁性纳米颗粒的质量浓度。
再一方面,本发明实施例提供了一种像素界定层,所述像素界定层通过上述的像素界定层的制备方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的