[发明专利]一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器

权利要求书

1.一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，包括有铟砷化镓基底层(1)，所述铟砷化镓基底层(1)上端面的一端设置有金金属漏极(2)，另一端设置有金金属源极(3)，在所述的金属漏极(2)和金属源极(3)之间且位于所述铟砷化镓基底层(1)上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层(4)、作为第一层势垒的铝化砷层(5)、作为半导体量子阱的铟砷化镓层(6)、作为第二层势垒的铝化砷层(7)和作为吸光材料的N型铟砷化镓层(8)，其中，所述铟砷化镓层(6)、铝化砷层(7)和N型铟砷化镓层(8)两端与所对应的金属漏极(2)和金属源极(3)之间分别形成有氧化绝缘层(10)，所述N型铟砷化镓层(8)的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层(9)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的铟砷化镓基底层(1)的高度为10nm。

3.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的砷化镓层(4)的高度为2nm。

4.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的铝化砷层(5)的高度为1nm。

5.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的铟砷化镓层(6)的高度为0.3nm～0.5nm。

6.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的铝化砷层(7)的高度为1nm。

7.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的N型铟砷化镓层(8)高度为2.5nm。

8.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的氧化绝缘层(10)的厚度为2nm。

9.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的金金属漏极(2)为输入极，所述的金金属源极(3)接天线负载，入射光信号为垂直入射光。