[发明专利]一种OLED显示面板以及显示装置在审
申请号: | 201810945496.8 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN109103222A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 朱春光;金映秀;左飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机层 沉积 层叠设置 发光基板 使用寿命 速率设置 显示装置 抗水氧 有机层 水氧 封装 入侵 | ||
本发明提供的OLED面板,包括:发光基板,以及层叠设置在所述发光基板上的第一无机层、有机层以及第二无机层;其中,所述第一无机层包括多个层叠设置的子无机层,且至少一个所述子无机层的沉积速率与其他所述子无机层的沉积速率不同。通过将第一无机层中至少一个子无机层的沉积速率设置成与其他子无机层的沉积速率不同,达到了增加水氧入侵OLED面板路径的目的,提高了OLED面板的抗水氧能力,从而提高了OLED面板的封装效果,延长了OLED面板的使用寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板以及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)作为一种电流型发光器件,因其具有自发光,色彩丰富,响应速度的快,视角广,重量轻,可做成柔性显示屏等优点而受到广泛关注。
然而,OLED器件对水汽和氧气非常敏感,因此,通常需要对OLED器件进行封装。现有的封装结构较为单一,其封装效果不佳,依然会使得OLED器件受到水汽和氧气入侵,进而造成如电极氧化、有机材料化学反应不良或者黑点等现象,从而导致OLED器件的使用寿命降低。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED面板以及显示装置,增加了水氧入侵OLED面板的路径,提高了OLED面板的抗水氧能力,从而提高了OLED面板的封装效果,延长了OLED面板的使用寿命。
本发明提供了一种OLED面板,包括:
发光基板,以及层叠设置在所述发光基板上的第一无机层、有机层以及第二无机层;其中,
所述第一无机层包括多个层叠设置的子无机层,且至少一个所述子无机层的沉积速率与其他所述子无机层的沉积速率不同。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机层包括以第一速率沉积的第一子无机层、以第二速率沉积的第二子无机层以及以第三速率沉积的第三子无机层,所述第一子无机层、所述第二子无机层以及所述第三子无机层依次堆叠设置。
根据本发明一优选实施例,所述第一速率与所述第三速率相等,且所述第一速率大于所述第二速率。
根据本发明一优选实施例,所述第一速率为4000安/分钟,所述第二速率为2200安/分钟,所述第三速率为4000安/分钟。
根据本发明一优选实施例,所述第一速率、所述第二速率以及所述第三速率均不相等,且所述第一速率大于所述第二速率,所述第二速率大于所述第三速率。
根据本发明一优选实施例,所述第一子无机层、所述第二子无机层以及所述第三子无机层的厚度均相等。
根据本发明一优选实施例,所述第二无机层包括以第四速率沉积的第四子无机层、以第五速率沉积的第五子无机层以及以第六速率沉积的第六子无机层,所述第四子无机层、所述第五子无机层以及所述第六无机层依次堆叠设置。
根据本发明一优选实施例,所述第四速率与所述第六速率相等,所述第四速率与所述第五速率不相等,且所述第四速率大于所述第五速率。
根据本发明一优选实施例,所述第四速率、第五速率以及所述第六速率均不相等,且所述第四速率大于所述第五速率,所述第五速率大于所述第六速率。
相应的,本发明还提供了一种显示装置,包括本发明任一实施例的OLED面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的