[发明专利]一种OLED发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201810945727.5 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109103223B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 王庆贺;王东方;苏同上;彭锐;程磊磊;张扬;汪军;李广耀;闫梁臣;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明实施例提供一种OLED发光器件及其制备方法,涉及发光器件技术领域,能够解决现有的OLED发光器件适用范围较小的问题。所述OLED发光器件包括基板,设置在基板上的第一源极,以及设置在第一源极上的第一绝缘层;第一源极具有第一侧面,第一绝缘层具有与第一源极的第一侧面位于同一侧的第二侧面,第一侧面和/或第二侧面与所基板的上表面的夹角为锐角;设置在基板上的有源层;有源层覆盖第一侧面和第二侧面;设置在有源层上的栅极绝缘层;设置在栅极绝缘层上的阳极;设置在阳极上的发光功能层;设置在发光功能层上的阴极;阴极包括覆盖第一绝缘层的第一漏极区域;有源层与第一漏极区域接触。本发明用于OLED发光器件。
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域,尤其涉及一种OLED发光器件及其制备方法。
背景技术
随着物联网技术的发展以及人们生活水平的提高,人们对于高品质多功能产品的需求越来越多。在显示照明领域,OLED(Organic Light Emitting Device,有机电致发光器件)技术得到了广泛应用。
然而,在现有的基于OLED技术的显示照明产品中,OLED发光器件一般为顶发射结构或底发射结构,只能充当平面光源,这使得OLED器件的适用范围较小;并且现有的OLED发光器件在阴极电压和阳极电压固定的情况下,其发光亮度无法调节,这样进一步限定了OLED发光器件的适用范围。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED发光器件及其制备方法,能够解决现有的OLED发光器件适用范围较小的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供一种OLED发光器件,包括基板,还包括:设置在所述基板上的第一源极,以及设置在所述第一源极上的第一绝缘层;所述第一源极具有第一侧面,所述第一绝缘层具有与所述第一源极的第一侧面位于同一侧的第二侧面,所述第一侧面和/或所述第二侧面与所述基板的上表面的夹角为锐角;设置在所述基板上的有源层;所述有源层覆盖所述第一侧面和所述第二侧面;设置在所述有源层上的栅极绝缘层;设置在所述栅极绝缘层上的阳极;设置在所述阳极上的发光功能层;设置在所述发光功能层上的阴极;所述阴极包括覆盖所述第一绝缘层的第一漏极区域;所述有源层与所述第一漏极区域接触。
可选的,还包括:与所述第一源极同层设置的第二源极,以及与所述第一绝缘层同层设置的第二绝缘层;所述第二绝缘层位于所述第二源极的上表面上;所述第二源极具有与所述第一源极的第一侧面相对的第三侧面,所述第二绝缘层具有与所述第一绝缘层的第二侧面相对的第四侧面;所述第三侧面和/或所述第四侧面与所述基板的上表面的夹角为锐角;所述有源层覆盖所述第三侧面和所述第四侧面;所述阴极包括覆盖所述第二绝缘层的第二漏极区域;所述有源层与所述第二漏极区域接触。
可选的,所述第一侧面和所述第二侧面均与所述基板的上表面的夹角为锐角;所述第三侧面和所述第四侧面均与所述基板的上表面的夹角为锐角;并且,所述第一侧面和所述第三侧面与所述基板的上表面的夹角均为第一夹角;所述第二侧面和所述第四侧面与所述基板的上表面的夹角均为第二夹角。
可选的,所述第一夹角和所述第二夹角均为10°~20°。
可选的,所述第一夹角和所述第二夹角均为70°~90°。
可选的,所述阳极为透明阳极,所述阴极为反射阴极。
可选的,所述有源层的制作材料为光敏半导体材料。
可选的,所述阳极为反射阳极,所述阴极为透明阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的