[发明专利]一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法有效

申请号：	201810946844.3	申请日：	2018-08-20
公开（公告）号：	CN110616460B	公开（公告）日：	2020-11-06
发明（设计）人：	丁建旭;袁野;杜松洁;崔洪芝;井琳;程晓华	申请（专利权）人：	山东科技大学
主分类号：	C30B29/12	分类号：	C30B29/12;C30B7/14
代理公司：	济南圣达知识产权代理有限公司 37221	代理人：	孙维傲
地址：	266590 山东***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	一种生长尺寸零维钙钛矿发光方法
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【权利要求书】：

1.一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，所述方法利用逆温度溶解度在富铯生长体系中生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶；

其中，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的化学式为 Cs₄PbBr_6-mX_m，X为卤族元素，m为卤族元素的掺杂含量，选自 0~6中的任意数值；X选自 Cl、Br、I；

所述富铯生长体系为CsPbBr₃、CsX与 DMSO组成的溶液体系，其中 X 为卤族元素，X选自Cl、Br、I；所述富铯生长体系中，CsPbBr₃与CsX的摩尔比为1:1；所述富铯生长体系的浓度为0.1mol/L；

所述方法包括：将CsPbBr₃与 CsX按比例混合溶解于 DMSO中，于室温下充分搅拌溶解获得饱和的生长溶液，以不高于 80°C的温度作为初始结晶温度，待自发结晶后，将温度提高5~20 °C，升温速率不大于 1°C/min，将晶体生长速度控制在 0.1~2mm/天，即可生长出带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶 Cs₄PbBr_6-mX_m；

所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的发光峰位位于 481-536nm，半高宽不大于 20nm。

2.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，m 选自 0~3中的任意数值。

3.根据权利要求2所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，m 选自0~2 中的任意数值。

4.根据权利要求3所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，m 选自0~1.2中的任意数值。

5.根据权利要求 1-4任一项所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的尺寸为毫米级别。

6.根据权利要求5所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的尺寸为 2~6mm。

7.根据权利要求6所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的尺寸为 4mm。

8.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述初始结晶温度为60~80°C。

9.根据权利要求8所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述初始结晶温度为60 °C。

10.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，自发结晶后，将温度提高 5~20 °C。

11.根据权利要求10所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，自发结晶后，将温度提高 20 °C。

12.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，温度提升速率不大于 1°C/min。