[发明专利]一种半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一晶粒，经配置以在一方向上与该半导体元件外部的一第二晶粒接合；以及

一导电层，设置在该方向上且位于该第一晶粒和该第二晶粒之间，经配置以实现一参考接地。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二晶粒经配置以接合该第一晶粒，以及通过将该第二晶粒投影至该第一晶粒上界定出一投影区域，并且该导电层占据该投影区域。

3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括：

一重布结构，经配置以做为该第一晶粒的走线，围绕并覆盖该导电层。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该导电层是一第一导电层，以及其中该重布结构包括：

一第二导电层，经配置以当该第二导电层传送除该参考接地以外的一信号时，与该第一导电层电性隔离。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该导电层是一第一导电层，以及其中该重布结构包括：

一第二导电层，经配置以当该第二导电层传送该参考接地时，被耦合到该第一导电层。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该重布结构还包括该导电层上的一介电层，其中该半导体元件还包括：

一插栓，设置在该介电层中，经配置以耦合该第一导电层到该第二导电层。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二晶粒经配置以接合该第一晶粒，以及通过将该第二晶粒投影至该第一晶粒上界定出一投影区域，并且该导电层延伸至该投影区域之外。

8.如权利要求7所述的半导体元件，还包括：

一重布结构，经配置以做为该第一晶粒的走线，围绕并覆盖该导电层。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该导电层是一第一导电层，以及其中该重布结构包括：

一第二导电层，经配置以当该第二导电层传送除该参考接地以外的一信号时，与该第一导电层电性隔离。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该导电层是一第一导电层，以及其中该重布结构包括：

一第二导电层，经配置以当该第二导电层传送该参考接地时，被耦合到该第一导电层。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该重布结构还包括该导电层上的一介电层，其中该半导体元件还包括：

一插栓，设置在该介电层中，经配置以耦合该第一导电层到该第二导电层。

12.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一晶粒包括一钝化层，其中该导电层位于该钝化层上。

13.如权利要求1所述的半导体元件，其中该导电层包括铜，且该导电层具有一网状结构。

14.一种半导体元件，包括：

一第一晶粒；

一导电层，设置在该第一晶粒上并在该第一晶粒上延伸，经配置以实现一参考接地；以及

一重布结构，覆盖并围绕该导电层。

15.如权利要求14所述的半导体元件，其中该导电层是一第一导电层，以及其中该重布结构包括：

一介电层，覆盖该导电层；以及

一第二导电层，设置在该介电层上，

其中该半导体元件还包括：

一插栓，设置在该介电层中，其中该第二导电层通过该插栓提供该第一导电层该参考接地。

16.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第一晶粒包括该第一晶粒的一顶表面上的一钝化层，该钝化层接触该导电层。