[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍部；

形成横跨所述鳍部的金属栅结构，所述金属栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；

沿所述鳍部的延伸方向，在相邻所述鳍部之间的衬底上形成隔离栅结构，所述隔离栅结构的材料为电介质材料。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底后，形成所述金属栅结构之前，还包括：在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括第一伪栅结构和第二伪栅结构，所述第一伪栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁，沿所述鳍部的延伸方向，所述第二伪栅结构位于相邻所述鳍部之间的衬底上；

在所述伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构的顶部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述金属栅结构的步骤包括：去除所述第一伪栅结构，在所述层间介质层内形成栅极开口；

在所述栅极开口内形成所述金属栅结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻所述鳍部之间的衬底上形成隔离栅结构的步骤包括：去除所述第一伪栅结构之后，保留所述第二伪栅结构作为所述隔离栅结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一伪栅结构的步骤包括：在所述层间介质层上形成第一图形层，所述第一图形层覆盖所述第二伪栅结构；

以所述第一图形层为掩膜，刻蚀去除所述第一伪栅结构；

刻蚀去除所述第一伪栅结构后，去除所述第一图形层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形层的材料为光刻胶或硬掩膜材料。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层后，去除所述第一伪栅结构之前，还包括：去除所述第二伪栅结构，在所述层间介质层内形成沟槽；

在相邻所述鳍部之间的衬底上形成隔离栅结构的步骤包括：在去除所述第一伪栅结构之前，向所述沟槽内填充电介质材料，所述沟槽内的电介质材料用于作为所述隔离栅结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二伪栅结构的步骤包括：在所述层间介质层上形成第二图形层，所述第二图形层覆盖所述第一伪栅结构；

以所述第二图形层为掩膜，刻蚀去除所述第二伪栅结构；

刻蚀去除所述第二伪栅结构后，去除所述第二图形层。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，向所述沟槽内填充电介质材料的工艺为化学气相沉积工艺。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二图形层的材料为光刻胶或硬掩膜材料。

11.权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离栅结构的材料为多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或无定形碳。

12.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离栅结构的材料为多晶硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、碳氮化硅硼、碳氧化硅、无定形碳、低k介质材料或超低k介质材料。