[发明专利]温度测量电路在审
| 申请号： | 201810947609.8 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108955930A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 郭建魁 | 申请（专利权）人： | 深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/16 | 分类号： | G01K7/16 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 乐珠秀 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福田区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 比较器 三极管 逻辑电路单元 温度测量电路 单脉冲 衬底 漏极 源极 反相输入端 栅极连接 电流源 共地 发射极连接 输出端连接 输入端连接 信号输入端 正相输入端 发射极 集电极 输出端 功耗 | ||
1.一种温度测量电路，其特征在于，包括：
第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接信号输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；
比较器，所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端；
三极管，所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端；所述三极管的集电极和基极共地；
第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与衬底共地；
单脉冲逻辑电路单元，所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端，所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极；
电流源，所述电流源连接所述三极管的发射极。
2.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述信号输入端包括反相器和连接在所述反相器输出端的电阻，所述电阻连接至所述第一MOS管的栅极。
3.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述第一MOS管为增强型PMOS。
4.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述三极管为PNP管或NPN管。
5.如权利要求1所述的温度测量电路，其特征在于，所述第二MOS管为增强型NMOS。
6.一种温度测量电路，其特征在于，包括：
第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接信号输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；
比较器，所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端；所述第一MOS管的源极连接所述比较器的反相输入端；
二极管，所述二极管的正极连接所述比较器的反相输入端；所述二极管的负极接地；
第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与衬底共地；
单脉冲逻辑电路单元，所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端，所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极；
电流源，所述电流源连接所述二极管的正极。
7.如权利要求6所述的温度测量电路，其特征在于，所述信号输入端包括反相器和连接在反相器输出端的电阻，所述电阻连接至所述第一MOS管的栅极。
8.如权利要求6所述的温度测量电路，其特征在于，所述第一MOS管为增强型PMOS。
9.如权利要求6所述的温度测量电路，其特征在于，所述第二MOS管为增强型PMOS、增强型NMOS管、耗尽型PMOS管或耗尽型NMOS管。
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