[发明专利]一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层和反射金属接触层具有相同的形状；

图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；

所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形，所述发光面为图形化的外延层，图形化外延层上面设有第一钝化层，第一钝化层上设有N电极，整个芯片表面设有第二钝化层；

发光面处的第一钝化层和N电极形状相同，其形状与图形化外延层形状形成互补；

N电极投影下方图形化外延层对应区域为互补结构层。

2.根据权利要求1所述的发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：反射金属接触层与图形化外延层形成较低的欧姆接触电阻，且具有高反射率，反射金属接触层处对应的图形化外延层发光亮度高，而互补结构层区域处对应的图形化外延层发光亮度低，同时图形化外延层区域外不发光。

3.根据权利要求1所述的发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：所述的图形化外延层为圆形、扇形、圆环形、五角星形状的平面几何图形结构，或图形化外延层的图形结构中包含各种文字形状。

4.根据权利要求1所述的发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：第一钝化层材料为氧化硅、氮化硅、氮氧硅、聚酰亚胺中的一种，使p型层和n型层在边缘处实现绝缘。

5.根据权利要求1所述的发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：互补结构层为绝缘介质薄膜；或为与图形化外延层形成高接触电阻的金属层；或为经过等离子体表面处理、被破坏的图形化外延层表面，其与反射金属接触层之间的欧姆接触电阻变大；或为经过刻蚀工艺刻蚀掉电流扩展层的图形化外延层，使其电流扩展能力变差。

6.根据权利要求1所述的发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：所述反射金属接触层的材料与图形化外延层形成较低的欧姆接触电阻，且具有高反射率的金属单层，或具有高反射率的叠层结构；所述反射金属接触层的材料为Ag、Al、Pt、Rh、Ni/Ag、Ag/Ni/Ag、Ni/Al或Ni/Ag/Ni/Ag中的一种。

7.根据权利要求1所述的发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：所述的粘结保护层的材料与图形化外延层之间的接触电阻很高，且具有低反射率的具有抗酸碱腐蚀能力的金属单层；或粘结保护层为叠层结构，且叠层结构中与图形化外延层接触的第一层材料难以与其形成低欧姆接触电阻，且具有低反射率，叠层材料具有抗酸碱腐蚀能力；所述的粘结保护层的金属单层材料为Cr、Pt、Ti、W或Au中的一种；或所述的粘结保护层的叠层结构的材料为Cr/Pt/Au、Cr/Pt/Ag、Cr/Pt/Ag/Cu/Ag、Cr/Pt/Cr/Pt/Au/Ag、Ti/Pt/Au或Ti/W/Ti/Pt/Au中的一种。

8.根据权利要求1所述的发光面为特定平面几何图形的LED芯片，其特征在于：所述的第一钝化层厚度为0.1μm～10μm，所述的键合层的厚度为1μm～10μm，所述的粘结保护层的厚度为0.1μm～10μm，所述的反射金属接触层厚度为0.05μm～1μm，所述的基板正面保护层的厚度为0.5μm～10μm，所述的基板反面保护层的厚度为0.5μm～10μm；所述的基板层的厚度为60μm～600μm，所述的接触层的厚度为0.1μm～10μm。